[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
申请号: | 201910829999.3 | 申请日: | 2019-09-04 |
公开(公告)号: | CN112447893B | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 毕东升;徐凯;蔡家豪;黄照明;张家豪 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/22 | 分类号: | H01L33/22;H01L33/46;H01L27/15 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明属于半导体领域,尤其涉及发光二极管及其制作方法,通过在相邻的发光单元之间刻蚀沟道,并在沟道的底部制作高反射层,通过高反射层产生干涉条纹,采用干涉条纹对发光二极管侧面进行曝光处理,从而在发光二极管侧面形成凹槽和凸起结构,并且凹槽底部宽度大于开口宽度,凸起结构表面设置有二氧化硅层,从而可以进一步提高发光二极管的出光效率。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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