[发明专利]一种具有p-GaN栅结构的常关型InAlN/GaN HMET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910818394.4 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110518068A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 黄义;李金鹏;陈伟中;李顺;张金沙;黄垚 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/324;H01L21/335 |
| 代理公司： | 11275 北京同恒源知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵荣之<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 400065 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有p‑GaN栅结构的常关型InAlN/GaN HMET器件及其制备方法，属于半导体功率器件领域。本发明的器件包括衬底、GaN缓冲层、InAlN势垒层、p‑GaN帽层、栅极、源极、漏极和钝化层，其中GaN缓冲层与InAlN势垒层形成异质结，可以抑制电流坍塌效应和调制沟道电场分布以提高器件的击穿电压；本发明通过使用In组份0.17的InAlN材料作为势垒层，实现了异质结的晶格匹配，增大了电子阻挡层势垒高度，因此可以减小器件的导通电阻和栅极漏电流；另外使用高介电常数材料作为钝化层，能够降低器件靠近漏极的栅极边缘处的电场峰值，提高了InAlN HEMT器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 势垒层 击穿电压 钝化层 异质结 漏极 半导体功率器件 高介电常数材料 电流坍塌效应 电子阻挡层 栅极漏电流 电场 导通电阻 沟道电场 降低器件 晶格匹配 栅极边缘 栅结构 衬底 减小 帽层 势垒 源极 制备 调制 | ||
【主权项】：
1.一种具有p-GaN栅结构的常关型InAlN/GaN HMET器件，其特征在于，所述器件包括衬底(101)和设置于所述衬底上方的InAlN/GaN异质结，所述异质结通过GaN缓冲层(102)与InAlN势垒层(103)形成，所述InAlN势垒层位于所述GaN缓冲层上方。/n
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