[发明专利]集成电路在审
| 申请号： | 201910814741.6 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110875312A | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 卢麒友;江庭玮;庄惠中;苏品岱;高章瑞;苏郁迪;马伟翔;黄俊嘉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L27/02;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路包括第一类型一晶体管、第二类型一晶体管、第三类型一晶体管、及第四类型一晶体管。第一类型一晶体管及第三类型一晶体管是在类型一主动区域的第一部分中。集成电路包括在类型二主动区域的第一部分中的第一类型二晶体管。第一类型一晶体管具有栅极，此栅极设置为具有第一电源的第一电源电压。第一类型二晶体管具有栅极，此栅极设置为具有第一电源的第二电源电压。第三类型一晶体管具有栅极，此栅极设置为具有第二电源的第一电源电压。第三类型一晶体管具有与第一类型一晶体管的主动区域导电地连接的第一主动区域。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
