[发明专利]内部屏蔽微电子封装件和其制造方法在审
| 申请号： | 201910804846.3 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110875283A | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | A·桑切斯;L·维斯瓦纳坦;V·希利姆卡尔;R·斯里尼迪安巴尔 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/495;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了对电磁交叉耦合有增加的电阻的内部屏蔽微电子封装件，还公开了用于制造这种微电子封装件的方法。在实施例中，所述内部屏蔽微电子封装件包括具有前侧和纵轴的基板。第一微电子装置安装在所述基板的所述前侧，而第二微电子装置另外安装在所述基板的所述前侧并且与所述第一微电子装置沿着所述纵轴隔开。内部屏蔽结构包括屏蔽壁或由屏蔽壁组成，所述屏蔽壁如沿着所述纵轴取得的定位在所述第一微电子装置与所述第二微电子装置之间。所述内部屏蔽壁结构至少部分地由磁导材料构成，这减少了在所述内部屏蔽微电子封装件的操作期间所述第一微电子装置与所述第二微电子装置之间的电磁交叉耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 内部 屏蔽 微电子 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
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