[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 201910800913.4 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110875189A | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 李凯璿;杨丰诚;陈燕铭;杨世海 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体装置的形成方法包含形成沟槽以露出源极/漏极(S/D)部件，其中S/D部件通过栅极间隔物与金属栅极结构隔开。此方法还包含移除栅极间隔物以形成气隙，以及在沟槽中形成第一介电层，其中第一介电层部分地填充气隙。此方法也包含在沟槽中的第一介电层上形成第二介电层，以及在S/D部件和第二介电层上形成S/D接点，其中第二介电层与第一介电层不同。在形成S/D接点之后，移除第一介电层以延伸气隙，以及在移除第一介电层之后，形成第三介电层以密封气隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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