[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201910800843.2 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110875175B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 何俊智;罗冠昕;张庆裕;林进祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李慧慧;向勇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开中提供一种半导体装置的制造方法，其包括提供基板；于基板上形成底层；于底层上形成中间层，其上表面包括光敏单元，光敏单元具有锚定在该中间层中的第一端以及远离中间层的上表面延伸的第二端；于中间层上形成光刻胶层；将光刻胶层在辐射源中曝光；以及显影光刻胶层以形成图案。光敏单元，包括光酸产生剂、光碱产生剂、光分解淬灭剂、或光分解碱，可通过一个或多个连接基团，锚定至形成中间层的聚合物主链。光敏单元延伸入光刻胶层的距离，可由连接基团的长度来决定。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
