[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

提供一基板；

形成一底层在该基板上；

形成一中间层在该底层上，其中该中间层包含一聚合物主链、连接至该聚合物主链的一支链的连接基团和一光敏单元，其中该支链的连接基团包含至少两个支链，该至少两个支链包含不同数量的一单体，且该光敏单元和该至少两个支链中的至少一个键合；

形成一光刻胶层在该中间层上；

将该光刻胶层在一辐射源中曝光；以及

显影该光刻胶层以形成一图案。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，该光敏单元包含一光酸产生剂、一光碱产生剂、一光分解淬灭剂、或一光分解碱。

3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，该聚合物主链包含一硅基聚合物，该硅基聚合物和该光敏单元的一端键合。

4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，该光敏单元通过该支链的连接基团和该硅基聚合物键合。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，该支链的连接基团被配置成能和多个光敏单元键合。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，该光敏单元为一第一光敏单元，该第一光敏单元和该支链的连接基团的一第一支链键合，该中间层还包含一第二光敏单元，该第二光敏单元和该支链的连接基团的一第二支链键合，其中该第一支链和第二支链的长度不同。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，该第一光敏单元和该第二光敏单元具有相异的化学结构。

8.一种半导体装置的制造方法，包括：

形成一底层在一基板上；

形成一中间层在该底层上，其中该中间层包含一聚合物主链，其结合有一支链的连接基团，其中该支链的连接基团包含至少两个支链，该至少两个支链包含不同数量的一单体，且其中该中间层还包含一第一光敏单元，该第一光敏单元和该至少两个支链中的至少一个键合；

形成一光刻胶层在该中间层上，其中该光刻胶层包含一第二光敏单元，且其中一部分的该第一光敏单元延伸入该光刻胶层的一底部部分；以及

将该光刻胶层在一辐射源中曝光。

9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，该聚合物主链包含一硅氧烷基聚合物。

10.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中，该聚合物主链还包含一具有1至10个碳原子的烷基、羟基、羧酸基、胺基、降冰片烷基、苯基、或金刚烷基。

11.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，该第一光敏单元通过该支链的连接基团结合至该聚合物主链。

12.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，该曝光使该第一光敏单元和该第二光敏单元都产生酸性部分。

13.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，该曝光使该第一光敏单元产生一碱性部分且该第二光敏单元产生一酸性部分。

14.一种半导体装置的制造方法，包括：

形成一底层在一基板上；

形成一中间层在该底层上，其中该中间层包含一聚合物主链、连接至该聚合物主链的一支链的连接基团、一第一光敏单元和一第二光敏单元，其中该支链的连接基团包含至少两个支链，该至少两个支链包含不同数量的一单体，且该第一光敏单元和该第二光敏单元和该至少两个支链键合；

形成一光刻胶层在该中间层上，其中该第一光敏单元以一第一距离延伸入该光刻胶层且该第二光敏单元以一第二距离延伸入该光刻胶层，该第一距离和该第二距离不同；以及

将该光刻胶层在一辐射源中曝光。