[发明专利]沟槽式金属氧化物半导体场效应管在审
| 申请号： | 201910791060.2 | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN110534574A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 谢福渊 | 申请（专利权）人： | 娜美半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/423 |
| 代理公司： | 31001 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 徐俊<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 中国台湾新北*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的版图结构，包括多个芯片结构，其中，每个芯片包括一个沟槽式金属氧化物半导体场效应管，包括位于有源区的屏蔽沟槽栅，位于终端区的多个悬浮的沟槽栅和至少一个沟道阻止沟槽栅。其中，所述屏蔽沟槽栅具有双电极结构，包括位于沟槽下方的屏蔽电极和位于沟槽上方的栅电极，其中所述栅电极和所述屏蔽电极之间由一层极间绝缘层绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽栅 屏蔽电极 栅电极 屏蔽 金属氧化物半导体场效应管 半导体器件 极间绝缘层 双电极结构 版图结构 沟道阻止 芯片结构 沟槽式 终端区 绝缘 源区 悬浮 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种半导体功率器件的版图结构，包括多个芯片结构，每个芯片结构包括一个沟槽式金属氧化物半导体场效应管，其包括：/n多个屏蔽沟槽栅，位于有源区，每个所述屏蔽沟槽栅具有双电极结构，其包括位于沟槽上部分的栅电极和位于沟槽下部分的屏蔽电极，其中所述栅电极和所述屏蔽电极之间由一层极间绝缘层绝缘，且每两个相邻的的所述栅电极之间延伸有第一体区和源区；/n多个悬浮沟槽栅，具有悬浮的电压，平行地形成于位于有源区外围的终端区，每两个相邻的所述悬浮沟槽栅之间延伸有第二体区，其中所述悬浮沟槽栅的沟槽深度大于或等于所述第二体区的结深；/n至少一个沟道阻止沟槽栅，位于终端区且围绕所述多个悬浮沟槽栅的外围，每个所述的沟道阻止沟槽栅都连接至至少一个切割沟槽栅，其中每个所述的切割沟槽栅都延伸穿过一条切割道；且所述第二体区具有悬浮的电压。/n
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