[发明专利]阵列基板及其制备方法在审
| 申请号： | 201910788560.0 | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN110620119A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 罗成志 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种阵列基板及其制备方法，通过在基板上设计混合TFT，在显示驱动区设置氧化物TFT且在非显示驱动区设置低温多晶硅TFT，这样既能提高LCD栅极驱动电路中的驱动电流，并且降低LCD显示像素驱动时的漏电流。在制备混合TFT的结构时，通过将显示驱动区域的第二有源层设于第一有源层上，且中间设置半导体绝缘层，进而在进行刻蚀的时候，可以通过一个光罩刻蚀出第一有源层与第二有源层的图案，进而可以降低制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 源层 显示驱动 制备 刻蚀 低温多晶硅TFT 半导体绝缘层 栅极驱动电路 驱动电流 像素驱动 阵列基板 中间设置 漏电流 氧化物 光罩 基板 图案 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，其特征在于，具有显示驱动区以及非显示驱动区，所述阵列基板包括：/n基板；/n缓冲层，设于所述基板上；/n第一有源层，设于所述缓冲层远离所述基板的一侧；/n半导体绝缘层，设于所述显示驱动区的第一有源层上；/n第二有源层，设于所述显示驱动区的半导体绝缘层上；/n栅极绝缘层，设于所述第一有源层、所述基板以及所述第二有源层上；栅极，设于所述栅极绝缘层上；/n层间绝缘层，设于所述栅极以及所述栅极绝缘层上；/n源漏极金属层，设于所述层间绝缘层上；/n其中，在所述显示驱动区，所述源漏极金属层通过第一通孔连接所述第二有源层；在所述非显示驱动区，所述源漏极金属层通过第二通孔连接所述第一有源层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
