[发明专利]阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，具有显示驱动区以及非显示驱动区，所述阵列基板包括：

基板；

缓冲层，设于所述基板上；

第一有源层，设于所述缓冲层远离所述基板的一侧；

半导体绝缘层，设于所述显示驱动区的第一有源层上；

第二有源层，设于所述显示驱动区的半导体绝缘层上；

栅极绝缘层，设于所述第一有源层、所述基板以及所述第二有源层上；栅极，设于所述栅极绝缘层上；

层间绝缘层，设于所述栅极以及所述栅极绝缘层上；

源漏极金属层，设于所述层间绝缘层上；

其中，在所述显示驱动区，所述源漏极金属层通过第一通孔连接所述第二有源层；在所述非显示驱动区，所述源漏极金属层通过第二通孔连接所述第一有源层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一通孔贯穿所述层间绝缘层及部分栅极绝缘层直至所述第二有源层。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二通孔贯穿所述层间绝缘层及部分栅极绝缘层直至所述第一有源层。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一有源层的材料为多个低温多晶硅。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二有源层的材料为铟镓锌氧化物。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述缓冲层的材料包括氮化硅及氧化硅。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述源漏极金属层包括源极走线以及漏级走线。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，

在所述显示驱动区，所述源极走线和所述漏级走线连接所述第二有源层；

在所述非显示驱动区，所述源极走线和所述漏级走线连接所述第一有源层。

9.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一基板，所述基板具有显示驱动区以及非显示驱动区；

在所述基板上依次沉积缓冲层以及非晶硅层；

激光退火所述非晶硅层形成第一有源层；

在所述显示驱动区依次沉积半导体绝缘层及第二有源层于所述第一有源层上；

形成一光刻胶层于所述第一有源层以及所述第二有源层上并曝光显影形成一图案层；

刻蚀所述第一有源层、所述半导体绝缘层及所述第二有源层形成相应的图案，并移除所述图案层；

形成一栅极绝缘层于所述基板、所述第一有源层及所述第二有源层上；以及

依次沉积栅极、层间绝缘层及源漏极金属层于所述栅极绝缘层上。

10.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述的刻蚀所述第一有源层、所述半导体绝缘层及所述第二有源层形成相应的图案的步骤中，

在所述显示驱动区，所述刻蚀的方法为湿法刻蚀；

在所述非显示驱动区，所述刻蚀的方法为干法刻蚀。