[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910777718.4 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110931467A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 郑圭镐;姜相列;曹圭镐;金恩善;文孝植 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件及其制造方法，所述制造半导体器件的方法包括：形成第一电极；在第一电极上形成初始介电层；在初始介电层上形成第二电极；以及使初始介电层至少部分地相变以形成介电层。第一电极与介电层之间的界面能可以小于第一电极与初始介电层之间的界面能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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