[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

提供了一种半导体器件及其制造方法，所述制造半导体器件的方法包括：形成第一电极；在第一电极上形成初始介电层；在初始介电层上形成第二电极；以及使初始介电层至少部分地相变以形成介电层。第一电极与介电层之间的界面能可以小于第一电极与初始介电层之间的界面能。

通过引用将于2018年9月19日向韩国知识产权局提交的名称为“SemiconductorDevice and Method of Manufacturing the Same”的第10-2018-0112262号韩国专利申请完全包括于此。

技术领域

实施例涉及一种半导体器件和一种制造该半导体器件的方法。

背景技术

在目前的工业中，半导体器件被用在许多电子产品中，并可以表现出多功能性、紧凑性、低功耗等。半导体器件可以由诸如半导体层、导电层和介电层的各种材料层组成。

发明内容

实施例涉及一种制造半导体器件的方法，该方法包括：形成第一电极；在第一电极上形成初始介电层；在初始介电层上形成第二电极；以及使初始介电层至少部分地相变以形成介电层。第一电极与介电层之间的界面能可以小于第一电极与初始介电层之间的界面能。

实施例还涉及一种半导体器件，该半导体器件包括第一电极、在第一电极上的第二电极以及在第一电极与第二电极之间的介电层。介电层可以包括与第一电极相邻的第一部分和与第二电极相邻的第二部分。第一部分和第二部分可以具有彼此不同的晶相。

附图说明

通过参照附图详细描述示例实施例，特征对本领域技术人员而言将变得明显，在附图中：

图1到图4示出了展示根据示例实施例的制造半导体器件的方法的剖视图。

图5和图6示出了展示根据示例实施例的制造半导体器件的方法的剖视图。

图7示出了展示根据示例实施例的半导体器件的剖视图。

图8到图11示出了展示根据示例实施例的制造半导体器件的方法的剖视图。

图12到图17示出了展示根据示例实施例的制造半导体器件的方法的剖视图。

图18示出了展示实验示例1中的介电层的XRD结果的图。

图19示出了展示实验示例2和实验示例3中测得的介电常数的图。

具体实施方式

现在将参照附图来描述示例实施例。

图1到图4示出了展示根据示例实施例的制造半导体器件的方法的剖视图。

参照图1，可以提供半导体基底10。半导体基底10可以是包括各种半导体组件的半导体晶片(例如，硅晶片)。例如，半导体基底10可以包括与半导体组件对应的下结构。下结构可以包括接触垫、导电图案、电线、栅极结构、晶体管等。下结构可以包括例如存储器电路、逻辑电路或者它们的组合。半导体基底10还可以在其顶表面上设置有覆盖半导体组件的介电层。

可以在半导体基底10上形成第一电极21。可以通过原子层沉积工艺、溅射工艺、电子束沉积工艺、化学气相沉积工艺、脉冲激光沉积工艺等来形成第一电极21。第一电极21可以设置在形成在半导体基底10上的介电层上。第一电极21可以形成为具有诸如板形状、圆柱形状或叠层形状的各种形状。在示例实施例中，第一电极21可以包括氮化铌(NbN)。