[发明专利]一种绝缘层上覆硅芯片的制作方法在审
| 申请号： | 201910763840.6 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN110459508A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 甄建伟 | 申请（专利权）人： | 大同新成新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/146 |
| 代理公司： | 11435 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 申绍中<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 037002*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘层上覆硅芯片的制作方法，包括以下步骤：S1、在多晶硅衬底表面上通过热氧化生长法形成具有介质隔离作用的第一氧化层；S2、在第一氧化层上涂光刻胶，曝光、刻蚀出通孔；S3、通过通孔，在第一氧化层表面，利用选择外延生长形成第一多晶硅层；S4、在第一多晶硅层上，利用热生长使硅与氧化剂在高温下反应形成第二氧化层；S5、在第二氧化层表面，利用选择外延生长形成第二多晶硅层；S6、在第二多晶硅层内靠近第二氧化层的区域处注入离子，形成金属杂质吸附层。本发明能提高SOI器件的抗辐射性能，同时还避免了游离的金属杂质对电路及电子元件的影响，保证了该绝缘体上硅结构的CMOS图像传感器的成像不会出现白点。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅层 氧化层 氧化层表面 金属杂质 外延生长 通孔 绝缘层上覆硅芯片 绝缘体上硅结构 氧化剂 热氧化生长 衬底表面 介质隔离 注入离子 白点 多晶硅 光刻胶 抗辐射 热生长 吸附层 刻蚀 成像 游离 电路 曝光 制作 保证 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘层上覆硅芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、在多晶硅衬底表面上通过热氧化生长法形成具有介质隔离作用的第一氧化层；/nS2、在第一氧化层上涂光刻胶，曝光、刻蚀出通孔；/nS3、通过通孔，在第一氧化层表面，利用选择外延生长形成第一多晶硅层；/nS4、在第一多晶硅层上，利用热生长使硅与氧化剂在高温下反应形成第二氧化层；/nS5、在第二氧化层表面，利用选择外延生长形成第二多晶硅层；/nS6、在第二多晶硅层内靠近第二氧化层的区域处注入离子，形成金属杂质吸附层；/nS7、在第二多晶硅层中远离第二氧化层的区域上形成电路及电子元件。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大同新成新材料股份有限公司，未经大同新成新材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910763840.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体存储装置的形成方法
- 下一篇：一种芯片的互连封装方法及互连封装结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
