[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201910728940.5 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN111554743B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 西口俊史 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417;H01L29/40 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置具备：半导体部；第1电极，设置在上述半导体部的背面上；第2电极，设置在上述半导体部的正面侧；第3电极，设置在上述半导体部的正面侧；以及控制电极，配置在设于上述半导体部的正面侧的沟槽的内部，与上述第3电极电连接。上述控制电极配置在上述半导体部与上述第2电极之间，与上述半导体部及上述第2电极电绝缘。上述控制电极包括在沿着上述半导体部的上述正面的第1方向上延伸的第1部分、和在与上述第1方向交叉的第2方向上延伸的第2部分，在上述沟槽内不分岔而连续地延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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