[发明专利]一种超结MOSFET结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910721871.5 | 申请日： | 2019-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110429140A | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 黄平;鲍利华;顾海颖 | 申请（专利权）人： | 上海朕芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/08;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人： | 吕伴 |
| 地址： | 201414 上海市奉*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开的超结MOSFET结构，包括N+衬底层、N‑外延层，其中N‑外延层位于N+衬底层的上表面上，在N‑外延层上设置有源极、栅极，其特征在于，在所述源极的P区开设置有倒梯形槽，在所述P区的倒梯形槽内注入有离子，所述离子对所述倒梯形槽进行注入掺杂形成一倒梯形P型区域。本发明还公开了该超结MOSFET结构的制备方法。本发明与现有技术相比，具有如下优点：(1)P区开倒梯形槽，即槽的上部尺寸大于槽小部的尺寸；这样便于离子注入对侧壁进行注入掺杂，以便形成P型区域。(2)P区开槽的深度可以达到衬底，槽深也可以调整在外延层。(3)P区用离子注入一次形成，注入剂量能完全控制。 | ||
| 搜索关键词： | 倒梯形槽 外延层 超结MOSFET 离子 衬底层 源极 制备 掺杂 一次形成 注入剂量 倒梯形 上表面 槽深 侧壁 衬底 开槽 小部 | ||
【主权项】：
1.超结MOSFET结构，包括N+衬底层、N‑外延层，其中N‑外延层位于N+衬底层的上表面上，在N‑外延层上设置有源极、栅极，其特征在于，在所述源极的P区开设置有倒梯形槽，在所述P区的倒梯形槽内注入有离子，所述离子对所述倒梯形槽进行注入掺杂形成一倒梯形P型区域。
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