[发明专利]用于形成半导体的方法以及半导体器件在审
| 申请号： | 201910700730.5 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111106236A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 彭泰彥;陈玉树;杨心怡;王辰戎;黄建中;林函廷;谢志宏;傅强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L43/02 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及用于形成半导体的方法以及半导体器件。一种方法包括形成磁隧道结(MTJ)堆叠层，其包括：沉积底部电极层；在底部电极层之上沉积底部磁电极层；在底部磁电极层之上沉积隧道阻挡层；在隧道阻挡层之上沉积顶部磁电极层；以及在顶部磁电极层之上沉积顶部电极层。该方法还包括对MTJ堆叠层进行图案化以形成MTJ；以及在MTJ的侧壁上执行钝化工艺以形成保护层。钝化工艺包括使MTJ的侧壁表面部分与工艺气体反应，所述工艺气体包括选自由氧、氮、碳及其组合组成的组的元素。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 半导体 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
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