[发明专利]具有低闪烁噪声的半导体装置和其形成方法有效
| 申请号： | 201910684433.6 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110783409B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 郑新立;郭良泰;张聿骐 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 龚诗靖 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及具有低闪烁噪声的半导体装置和其形成方法。在一些实施例中，提供一种半导体装置。所述半导体装置包含布置于半导体衬底中的源极区和漏极区，其中所述源极区与所述漏极区横向间隔。栅极堆叠布置于所述半导体衬底上和所述源极区与所述漏极区之间。盖层布置于所述栅极堆叠上，其中所述盖层的底面接触所述栅极堆叠的顶面。侧壁间隔件沿所述栅极堆叠和所述盖层的侧布置。抗蚀剂保护氧化物RPO层安置于所述盖层上，其中所述RPO层沿所述侧壁间隔件的侧延伸到所述半导体衬底。接触蚀刻停止层布置于所述RPO层、所述源极区和所述漏极区上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 闪烁 噪声 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：/n源极区和漏极区，其安置于半导体衬底中，其中所述源极区与所述漏极区横向间隔；/n栅极堆叠，其安置于所述半导体衬底上且布置于所述源极区与所述漏极区之间；/n盖层，其安置于所述栅极堆叠上，其中所述盖层的底面接触所述栅极堆叠的顶面；/n数个侧壁间隔件，其沿所述栅极堆叠和所述盖层的侧安置；/n抗蚀剂保护氧化物RPO层，其安置于所述盖层上，其中所述RPO层沿所述侧壁间隔件的侧延伸到所述半导体衬底；和/n接触蚀刻停止层CESL，其安置于所述RPO层、所述源极区和所述漏极区上。/n
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