[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910680538.4 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN112310189A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 陈志谚 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/41;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置及其制造方法，包括一基板及一第一III‑V族化合物层，第一III‑V族化合物层设置于基板上。第一III‑V族化合物层包括多个晶格且每个晶格具有一棱镜面。半导体装置更包括一第二III‑V族化合物层，第二III‑V族化合物层设置于第一III‑V族化合物层上。半导体装置包括一源极电极、一漏极电极及一栅极电极，其设置于第二III‑V族化合物层上。源极电极与漏极电极在第一III‑V族化合物层界定一沟道区，沟道区中具有多个载流子沟道。棱镜面的法线方向定义一m轴，且每个载流子沟道平行于m轴。本发明的半导体装置能有效降低半导体装置的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于世界先进积体电路股份有限公司，未经世界先进积体电路股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910680538.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置及其操作方法
- 下一篇：水力压裂监测方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
