[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一基板；

一第一III-V族化合物层，设置于该基板上，该第一III-V族化合物层包括多个晶格且每个晶格具有一棱镜面；

一第二III-V族化合物层，设置于该第一III-V族化合物层上；以及

一源极电极、一漏极电极及一栅极电极，设置于该第二III-V族化合物层上，该源极电极与漏极电极在该第一III-V族化合物层界定一沟道区，该沟道区中具有多个载流子沟道；

其中该棱镜面的法线方向定义一m轴，且每个载流子沟道平行于该m轴。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该基板为一半导体基板、一半导体位于绝缘体之上的基板、一玻璃基板或一陶瓷基板。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该基板为一QST基板。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该m轴为[10-10]、[-1010]、[1-100]、[-1100]、[01-10]及[0-110]的其中之一。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该源极电极与漏极电极彼此相对，且该源极电极面对该漏极电极的一侧壁在该基板上的投影垂直于该m轴。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该源极电极与该漏极电极沿着该m轴的方向彼此分离。

7.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一基板；

一第一III-V族化合物层，设置于该基板上，该第一III-V族化合物层包括多个晶格且每个晶格具有一m平面；

一第二III-V族化合物层，设置于该第一III-V族化合物层上；以及

一源极电极、一漏极电极及一栅极电极，设置于该第二III-V族化合物层上，该源极电极与漏极电极在该第一III-V族化合物层界定一沟道区，该沟道区中具有多个载流子沟道；

其中每个载流子沟道平行于该m平面的法线方向。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，该基板为一半导体基板、一半导体位于绝缘体之上的基板、一玻璃基板或一陶瓷基板。

9.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，该基板为一QST基板。

10.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，该m平面为平面(10-10)、平面(-1010)、平面(1-100)、平面(-1100)、平面(01-10)及平面(0-110)的其中之一。

11.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，该源极电极与该漏极电极彼此相对，且该源极电极面对该漏极电极的一侧壁在该基板上的投影垂直于该m平面的法线方向。

12.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，该源极电极与该漏极电极沿着该m平面的法线方向彼此分离。

13.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

形成并提供一基板；

在该基板上形成一第一III-V族化合物层，其中该第一III-V族化合物层包括多个晶格且每个晶格具有一棱镜面；

在该第一III-V族化合物层上形成一第二III-V族化合物层；及

在该第二III-V族化合物层上形成一源极电极、一漏极电极及一栅极电极，其中该源极电极与该漏极电极在该第一III-V族化合物层界定一沟道区，该沟道区中具有多个载流子沟道；

其中该棱镜面的法线方向定义一m轴，且每个载流子沟道平行于该m轴。

14.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，该基板为一半导体基板、一半导体位于绝缘体之上的基板、一玻璃基板或一陶瓷基板。