[发明专利]集成电路器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910633897.4 | 申请日： | 2019-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN110739290A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 朴秀晶;林东灿;文光辰;徐柱斌;崔朱逸;藤崎纯史 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/538;H01L21/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 11330 北京市立方律师事务所 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种集成电路器件及其制造方法。集成电路器件包括：衬底；位于所述衬底上的接合焊盘；以及穿过所述衬底并连接到所述接合焊盘的贯穿通路结构。所述贯穿通路结构包括导电插塞、覆盖所述导电插塞的侧壁和下表面的第一导电阻挡层、以及覆盖所述第一导电阻挡层的侧壁的第二导电阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 导电阻挡层 衬底 集成电路器件 导电插塞 接合焊盘 通路结构 侧壁 下表面 贯穿 覆盖 穿过 制造 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路器件，包括：/n衬底；/n位于所述衬底上的接合焊盘；以及/n穿过所述衬底并连接到所述接合焊盘的贯穿通路结构，/n所述贯穿通路结构包括导电插塞、覆盖所述导电插塞的侧壁和下表面的第一导电阻挡层、以及覆盖所述第一导电阻挡层的侧壁的第二导电阻挡层。/n
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