[发明专利]集成电路器件及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

衬底；

位于所述衬底上的接合焊盘；以及

穿过所述衬底并连接到所述接合焊盘的贯穿通路结构，

所述贯穿通路结构包括导电插塞、覆盖所述导电插塞的侧壁和下表面的第一导电阻挡层、以及覆盖所述第一导电阻挡层的侧壁的第二导电阻挡层。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

所述贯穿通路结构还包括覆盖所述第二导电阻挡层的侧壁的通路绝缘层，

所述通路绝缘层与所述接合焊盘间隔开，并且

所述第二导电阻挡层接触所述接合焊盘。

3.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中，

所述接合焊盘还包括接合焊盘金属层和接合焊盘阻挡层，

所述接合焊盘金属层位于所述衬底上，

所述接合焊盘阻挡层位于所述接合焊盘金属层的上表面和侧壁上，

所述第一导电阻挡层的下表面接触所述接合焊盘金属层，并且

所述第二导电阻挡层的下表面接触所述接合焊盘阻挡层。

4.根据权利要求3所述的集成电路器件，其中，所述第二导电阻挡层与所述接合焊盘金属层间隔开。

5.根据权利要求3所述的集成电路器件，其中，

所述第一导电阻挡层的下表面位于距所述衬底的第一表面的第一距离处，

所述第二导电阻挡层的下表面位于距所述衬底的第一表面的第二距离处，并且

所述第一距离大于所述第二距离。

6.根据权利要求3所述的集成电路器件，其中，

所述贯穿通路结构还包括位于所述第一导电阻挡层与所述第二导电阻挡层之间的金属岛状物，并且

所述金属岛状物包括与所述接合焊盘金属层相同的金属。

7.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中，

所述贯穿通路结构还包括覆盖所述第二导电阻挡层的侧壁的通路绝缘层，并且

所述通路绝缘层与所述金属岛状物间隔开。

8.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

位于所述衬底上的层间绝缘层；以及

位于所述层间绝缘层上并覆盖所述接合焊盘的金属间绝缘层，其中，

所述贯穿通路结构的侧壁的一部分被所述层间绝缘层覆盖，并且

所述贯穿通路结构的下表面接触所述接合焊盘。

9.根据权利要求8所述的集成电路器件，其中，

所述衬底和所述层间绝缘层限定穿透所述衬底和所述层间绝缘层的贯穿通孔，

所述贯穿通路结构位于所述贯穿通孔中，并且

所述层间绝缘层在所述贯穿通孔的底部限定台阶部分。

10.根据权利要求9所述的集成电路器件，其中，

所述贯穿通路结构还包括覆盖所述第二导电阻挡层的侧壁的通路绝缘层，并且

所述通路绝缘层、所述第二导电阻挡层、所述第一导电阻挡层和所述导电插塞被顺序地堆叠在所述贯穿通孔的侧壁上。

11.根据权利要求9所述的集成电路器件，其中，所述贯穿通孔的所述台阶部分由所述通路绝缘层的下表面和所述第二导电阻挡层的侧壁限定。

12.根据权利要求9所述的集成电路器件，其中，所述贯穿通孔包括位于所述衬底与所述层间绝缘层之间的边界区域处的扩大部分。