[发明专利]一种低日照非晶硅薄膜太阳能电池窗口层的制备方法在审

申请号：	201910621040.0	申请日：	2019-07-10
公开（公告）号：	CN110311018A	公开（公告）日：	2019-10-08
发明（设计）人：	麦毅;吴复忠;谷肄静;李水娥;戴新义	申请（专利权）人：	贵州大学
主分类号：	H01L31/20	分类号：	H01L31/20;H01L31/0445;H01L31/075;H01L31/028
代理公司：	北京联创佳为专利事务所(普通合伙) 11362	代理人：	张梅
地址：	550025 贵州省***	国省代码：	贵州;52
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摘要：	本发明公开了一种低日照非晶硅薄膜太阳能电池窗口层的制备方法。按下述步骤进行：a.洗净导电玻璃衬底表面并吹干；b.以硅烷、氢气、甲烷/乙烷、硼烷为原料气，在导电玻璃衬底表面沉积含碳和氢的P型非晶硅薄膜层，得到含B的P型SiCx:Hy非晶硅薄膜电池窗口层，其中，x=1,y=1或2或3。本发明具有提高太阳能发电效率的特点。
搜索关键词：	窗口层非晶硅薄膜太阳能电池衬底表面导电玻璃制备日照非晶硅薄膜电池太阳能发电效率乙烷氢气原料气甲烷按下吹干硅烷硼烷洗净沉积
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【主权项】：

1.一种低日照非晶硅薄膜太阳能电池窗口层的制备方法，其特征在于，按下述步骤进行：a.洗净导电玻璃衬底表面并吹干；b.以硅烷、氢气、甲烷/乙烷、硼烷为原料气，在导电玻璃衬底表面沉积含碳和氢的P型非晶硅薄膜层，得到含B的P型SiCx:Hy非晶硅薄膜电池窗口层，其中，x=1,y=1或2或3。

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摘要：本发明公开了一种用于制造非晶硅薄膜的激光装置，包括支架和激光发生器，电机输出端连接转轴，转轴固定连接主动半齿轮，从动齿轮固定连接螺纹杆，螺纹杆另一端延伸至支架右侧内壁上，且通过轴承与支架转动连接，套管上端铰接连接第二连杆，第二连杆另一端铰接连接第二固定块，第二固定块固定安装在第二固定杆上，第一固定杆和第二固定杆分别与支架内壁滑动连接，直杆另一端固定连接连接块，连接块通过连接轴固定连接安装座，安装座上表面固定连接安装板，安装板上设置有激光发生器，激光发生器底面固定安装预留座，预留座上设置有与锲型块相适配的锲型卡槽。该发明具有能够对薄膜进行均匀全面进行辐射和激光发生器方便安装拆卸的优点。

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摘要：本发明提供了一种硅锗黑磷烯PIN异质结太阳能电池的制备方法。该方法包括：清洗N型硅基底，在N型硅基底中制备N型硅纳米线阵列，然后在N型硅纳米线阵列上依次形成本征非晶锗层、P型黑磷烯层以及透明导电层，最后在N型硅基底的背面形成背电极并在透明导电层上形成上电极。本发明的制备方法简单，硅纳米线线阵列的设置提高了该太阳能电池对太阳光的吸收效率，黑磷烯作为新型二维半导体材料，与N型硅纳米线线阵列以及本征非晶锗层形成PIN异质结，可以有效的进行光电转换，且径向结构的设置，便于电子空穴对的分离与传输，进一步提高了该太阳能电池的光电转换效率。

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摘要：本发明公开一种硅纳米线/硅薄膜异质结太阳电池及其制备方法，其制备方法包括清洗n型单面抛光硅片、刻蚀硅纳米线阵列、沉积氢化非晶硅薄膜、溅射AZO薄膜、蒸镀铝背电极、涂抹银前电极，从而获得基本结构：AZO/p‑a‑Si/i‑a‑Si/n‑c‑Si/Al的硅纳米线/硅薄膜异质结太阳电池。本发明提出了这种采用等离子体化学气相沉积技术，处理过程简单方便，低温耗能低，并且使用了磁控溅射设备掺杂，提高传导和收集光生载流子，进一步制备了硅纳米线阵列电池器件。

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摘要：本发明公开了一种单面发电异质结太阳能电池的制作方法，所述方法包括以下步骤：硅片正、背面制绒，形成金字塔绒面；在制绒后的硅片正、背面沉积非晶硅层；在沉积非晶硅层后的硅片正、背面沉积透明导电薄膜层；在沉积透明导电薄膜层后的硅片背面沉积金属叠层；在沉积金属叠层后的硅片正、背面形成银浆电极栅线。本发明在电池背面透明导电薄膜上沉积电阻率低、成本低的金属叠层，显著提高了背电极的导电性能，可以减少甚至取消背面栅线电极的细栅，大幅减少了银浆使用量，从而降低电池的银浆栅线电极成本，提高转换效率。

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摘要：一种用于多晶硅金刚线切片的制绒工艺，第一步，进片：把多晶硅片放入制绒机中；第二步，碱抛：利用硅在KOH中各向异性反应在硅片表面形成凸起，第三步，镀银：Ag⁺从硅的价带中得到电子，Ag颗粒在硅表面实现占位，第四步，挖孔：在氢氟酸和双氧水的作用下，在其表面形成纳米级孔洞；第五步，脱银：去除硅片表面银离子；第六步，扩孔：使挖孔后的纳米级孔洞绒面扩大，第七步，碱洗：利用高浓度的碱对表面进行漂洗，第八步，去毛刺：利用次氯酸的强氧化性漂洗表面毛刺、小丘状和金字塔结构，除此之外也附带脱银功能；第九步，酸洗：氢氟酸主要对硅片表面疏水；第十步，烘干：利用热风箱烘干硅片表面的水，大大的提升了电池片的光电转换效率。

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摘要：本发明涉及一种N型硅基太阳能电池及其制备方法，包括以下步骤：对N型单晶硅片进行双面制绒处理；在所述N型单晶硅片上表面的局部区域上形成多个呈矩阵排布的N型磷重掺杂区；接着在所述N型单晶硅片的上表面依次沉积第一本征非晶硅层和P型非晶硅层；接着在所述N型单晶硅片的下表面依次沉积第二本征非晶硅层和N型非晶硅层；接着在所述N型单晶硅片的上表面沉积透明导电层；接着在所述N型单晶硅片的下表面沉积ITO层；最后形成银栅电极和铝背电极。本发明的N型硅基的HIT太阳能电池稳定性好且光电转换效率高。

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摘要：本发明公开了一种硅异质结太阳能电池的制作方法，采用第一温度在单晶硅片的一面沉积第一非晶硅本征层；采用第一温度在单晶硅片的另一面沉积第二非晶硅本征层；采用第二温度对沉积有第一非晶硅本征层和第二非晶硅本征层的单晶硅片进行退火处理；其中，第二温度大于第一温度。由于采用较低的第一温度沉积第一非晶硅本征层和第二非晶硅本征层并采用较高的第二温度对异质结进行退火处理相结合的方式，通过测试数据可知，可以使硅异质结太阳能电池中的a‑Si:H/c‑Si界面获得较好的钝化效果，有利于获得较长的少子寿命，进而提升硅异质结太阳能电池的开路电压，增强硅异质结太阳能电池的性能。

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发明人：陈虹 -专利权人：惠州秀鸿科技有限公司
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L31/20
摘要：本发明公开了一种新型非晶硅薄膜电池设备，包括底板以及设置在所述底板顶部端面左侧的升落座和设置在所述底板顶部端面右侧的装定座，所述底板底部端面胶合安装有塑料垫板，所述升落座右端端面内设有第一导移槽，所述第一导移槽内滑动配合连接有撑起板，所述撑起板右端伸出所述第一导移槽外且位于所述装定座上方，所述第一导移槽内的撑起板内螺纹配合连接有上下伸展的第一螺状杆，所述第一螺状杆底部伸展末端与所述第一导移槽底部内壁转动配合连接，所述第一螺状杆顶部伸展末端动力连接有第一马达；本发明结构简单，操作方便，便于收纳，方便移动和搬运，同时，提高了加工效率以及效果。

一种用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层的掩膜板-201721583334.1
发明人：卢刚;张治;杨振英;何凤琴;郑璐;张敏 -专利权人：青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L31/20
摘要：本实用新型公开了一种用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层的掩膜板，包括：底座和盖板。所述底座包括容置凹槽，所述容置凹槽用于容置HIBC电池中待沉积异质结非晶硅层的基底。所述盖板覆设在所述底座上，所述盖板上设置有露出所述容置凹槽的开口，开口上设置有多个间隔排列的遮挡件，遮挡件将开口划分为交错间隔的遮挡区和开口区。在制备P区时，遮挡区用于遮挡P区和所述N区的间隔区域以及N区；在制备N区时，遮挡区用于遮挡P区和N区的间隔区域以及P区。所述掩膜板可避免对其他工序生成的非晶硅层的特性产生影响，起到保护已生成的非晶硅层的作用；而且所述掩膜板结构简易，操作难度低，有利于提高生产效率。

一种基于3D打印技术制备的超轻结构太阳能电池-201611117153.X
发明人：贺晓宁 -专利权人：深圳摩方材料科技有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L31/20
摘要：本发明提供一种基于3D打印技术制备的超轻结构太阳能电池。包括以下步骤：步骤A:选择基板,再在基板表面均匀涂布感光光刻胶；步骤B：利用3D打印机在得到的涂布有光刻胶的基板上确定曝光区域，对曝光区域进行固化；步骤C：对光刻胶进行显影、定影处理，对固化部分进行进一步固化、强化，并对未固化部分清洗去除；步骤D：在制备有光刻图案的基板上沉积薄膜太阳能电池；步骤E：循环重复上述步骤B到步骤D过程，清洗去除所有固化光刻胶,得到超轻结构太阳能电池。本发明一方面具有超轻材料密度极低的特征，另一方面具有太阳能电池将太阳能转换为电能的能力。

一种背接触异质结单晶硅太阳能电池及其制作方法-201610832552.8
发明人：张振刚;萧生刚;宋江;刘万满 -专利权人：深圳市科纳能薄膜科技有限公司
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L31/20
摘要：本发明适用于太阳能光伏技术领域，提供了一种背接触异质结单晶硅太阳能电池及其制作方法，所述方法包括在非晶硅层表面，通过第一镀膜技术形成一层透明导电氧化物层；在透明导电氧化物层表面，通过第二镀膜技术形成一层金属层；通过激光划线技术，按照预设的金属电极图案，在金属层上进行激光划线，在所述金属层形成包括主电极和栅线电极的金属电极图案。通过在非晶硅层与金属层中间镀一层透明导电氧化物层，再结合不同的激光特性，进行激光划线，可以避免激光划线过程中对非晶硅和硅基底的损伤，同时可有效避免金属对硅的扩散，并且相对于现有技术，本发明工艺流程较为简单，且可以采用铝等廉价金属材料，降低了电池制作成本，可以达到量产的目的。

一种用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层的掩膜板-201711181087.7
发明人：卢刚;张治;杨振英;何凤琴;郑璐;张敏 -专利权人：青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L31/20
摘要：本发明公开了一种用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层的掩膜板，包括底座和盖板。所述底座包括容置凹槽，所述容置凹槽用于容置HIBC电池中待沉积异质结非晶硅层的基底。所述盖板覆设在所述底座上，所述盖板上设置有露出所述容置凹槽的开口，开口上设置有多个间隔排列的遮挡件，遮挡件将开口划分为交错间隔的遮挡区和开口区。在制备P区时，遮挡区用于遮挡P区和所述N区的间隔区域以及N区；在制备N区时，遮挡区用于遮挡P区和N区的间隔区域以及P区。所述掩膜板可避免对其他工序生成的非晶硅层的特性产生影响，起到保护已生成的非晶硅层的作用；而且所述掩膜板结构简易，操作难度低，有利于提高生产效率。

非晶硅太阳能电池生产方法-201611059852.3
发明人：黄俊翰;龚利平 -专利权人：蓬安金石光电科技有限公司
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L31/20
摘要：本发明公开了一种非晶硅太阳能电池生产方法，其特征在于按下列步骤，（1）红激光刻膜，（2）装片预热，（3）非晶硅的沉积，（4）绿激光切割，（5）印刷、固化，（6）切割，（7）检测。本发明去掉传统工艺中印刷耐酸油墨和剥墨显影工序，缩减了生产时间，本发明通过生产工艺改进，使PIO层中的P层加厚，凹凸面增大增多，P层的放电时间增加2‑4分钟，温度降15±5℃左右，碳浆里面加银浆，这样不但电流上去了，其附着力比先前更好，生产出来的产品性能稳定，附着力提升10‑16%、电阻下降2‑6％，电流增加4‑11％。

非晶硅薄膜太阳能电池的反向电压修复系统及方法-201710451986.8
发明人：郭锋;李兆廷;王恩忠;高立伟;臧显峰 -专利权人：宁夏旭唐新材料科技有限公司;东旭集团有限公司
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L31/20
摘要：本发明是关于一种非晶硅薄膜太阳能电池的反向电压修复系统及其方法，修复系统其包括人机界面、工业以太网交换机、数据采集模块、继电器控制模块、可调光源和电池组；人机界面显示数据采集模块采集的电池组工作电压以及对电池组施加反向电压的控制按键；工业以太网交换机将数据采集模块采集的电池组工作电压传输至人机界面；数据采集模块采集电池组工作电压；继电器控制模块根据人机界面生成的控制指令控制对应继电器的工作状态，通过继电器的工作状态变化确定对所述电池组施加反向电压；可调光源对电池组进行弱光照射使其产生电压；本发明修复系统对电池的短路修复效果明显，提高了电池的利用率，利用工业化生产，操作简单。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]一种低日照非晶硅薄膜太阳能电池窗口层的制备方法在审

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