[发明专利]借助掩埋击穿晶闸管装置的单向ESD保护在审
| 申请号： | 201910601854.8 | 申请日： | 2019-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN110690212A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 叶夫根尼·尼科洛夫·斯特凡诺夫 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06;H01L29/74;H01L21/84 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 纪雯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种静电放电保护装置包括：基板；第一和第二发射极区，所述第一和第二发射极区安置在所述基板中，在所述基板的一侧上彼此横向间隔开，并且具有相反导电类型；以及第一和第二基极区，所述第一和第二基极区具有相反导电类型，并且其中所述第一和第二发射极区分别安置在晶闸管布置中。所述第一基极区包括在所述第二基极区下方延伸的掩埋掺杂层。所述掩埋掺杂层和所述第二基极区中的每一个包括掺杂剂浓度分布的相应不均一性。在所述相应不均一性处所述掩埋掺杂层与所述第二基极区之间的间隔为所述晶闸管布置建立击穿触发电压。 | ||
| 搜索关键词： | 基极区 掩埋掺杂层 发射极区 基板 相反导电类型 不均一性 晶闸管 静电放电保护装置 彼此横向间隔 触发电压 浓度分布 掺杂剂 安置 击穿 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电保护装置，其特征在于，包括：/n基板；/n第一和第二发射极区，所述第一和第二发射极区安置在所述基板中，在所述基板的一侧上彼此横向间隔开，并且具有相反导电类型；以及/n第一和第二基极区，所述第一和第二基极区具有相反导电类型，并且其中所述第一和第二发射极区分别安置在晶闸管布置中，所述第一基极区包括在所述第二基极区下方延伸的掩埋掺杂层；/n其中所述掩埋掺杂层和所述第二基极区中的每一个包括掺杂剂浓度分布的相应不均一性，并且/n其中在所述相应不均一性处所述掩埋掺杂层与所述第二基极区之间的间隔为所述晶闸管布置建立击穿触发电压。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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