[发明专利]双极结型晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200510099163.0 | 申请日： | 2005-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1929148A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 蔡明轩 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种双极结型晶体管元件，此元件的晶体管中的p型井区环绕在n型发射极区周围，且与发射极底部连接，用以作为一基极区。p型基极拾取区与p型基极连接，且环绕于发射极区周围。n型深井区，其与基极区底部以及n型井区的底部连接，用以作为一集电极区。n型井区环绕于基极区周围，并且与n型的深井区连接。n型集电极拾取区连接n型井区，且环绕于基极区周围。隔离结构，位于发射极区与基极区之间以及部分的基极区与部分的n型井区之间。缓冲区位于部分隔离结构下方，且与部分隔离结构共同隔离开p型基极区与n型井区。 | ||
| 搜索关键词： | 双极结型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双极结型晶体管，包括：一具有第一导电型的衬底；一具有第二导电型的一发射极区，位于该具有第一导电型的衬底中；一具有第一导电型的井区，位于该具有第一导电型的衬底中，其环绕于该发射极区周围且与该发射极底部连接，用以作为一基极区；一具有第二导电型的井区，位于该具有第一导电型的衬底中，其环绕于该基极区周围；一具有第二导电型的深井区，位于该具有第一导电型的衬底中，与该基极区底部以及该具有第二导电型井区的底部连接，用以作为一集电极区；一隔离结构，位于该发射极区与该基极区之间以及部分该基极区与部分该具有第二导电型的井区之间；一缓冲区，位于部分该隔离结构下方，且与部分该隔离结构共同隔开该基极区与该具有第二导电型的井区；一具有第二导电型的集电极拾取区，连接该具有第二导电型的井区且环绕该具有第一导电型的井区周围；以及一具有第一导电型的基极拾取区，连接该基极且环绕于该发射极区周围。
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