[发明专利]提升半导体器件散热性能的方法和半导体器件在审
| 申请号： | 201910598340.1 | 申请日： | 2019-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN110164836A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 张杰;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 该发明涉及一种提升半导体器件散热性能的方法和半导体器件，其中所述提升半导体器件散热性能的方法包括以下步骤：将衬底的上表面形成一导热层；在所述导热层的上表面形成器件层；在所述器件层内形成与所述导热层连接的导热带。以上提升半导体器件散热性能的方法及半导体器件在半导体器件的水平方向和竖直方向各提供了一散热、导热的结构，即导热层以及导热带，且导热带与所述导热层相互连接，因此在单独使用所述导热层进行热量发散的同时，还能够使用导热带将器件层内的热导向所述导热层，提高了导热层的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 导热层 散热性能 导热带 器件层 上表面 导热 单独使用 发散 散热 衬底 竖直 | ||
【主权项】：
1.一种提升半导体器件散热性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：将衬底的上表面形成一导热层；在所述导热层的上表面形成器件层；在所述器件层内形成与所述导热层连接的导热带。
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