[发明专利]具有在包封材料中的凹部的半导体装置和所属的制造方法在审

专利信息
申请号: 201910596692.3 申请日: 2019-06-28
公开(公告)号: CN110660688A 公开(公告)日: 2020-01-07
发明(设计)人: C·盖斯勒;W·哈特纳;C·韦希特尔;M·沃杰诺维斯基 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/31;H01L21/56;H01L23/482;H01L23/488
代理公司: 11256 北京市金杜律师事务所 代理人: 郑立柱;闫昊
地址: 德国诺伊*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 本公开的实施例涉及具有在包封材料中的凹部的半导体装置和所属的制造方法,方法包括提供至少一个半导体组件,其中至少一个半导体组件中的每个包括:半导体芯片,其中半导体芯片包括第一主表面和与第一主表面相对置的第二主表面,和布置在半导体芯片的相对置的第二主表面上的牺牲材料。该方法还包括用包封材料包封至少一个半导体组件。该方法还包括去除牺牲材料,其中在至少一个半导体芯片中的每个上形成包封材料中的凹部。该方法还包括将至少一个盖布置在至少一个凹部上,其中通过至少一个凹部和至少一个盖在至少一个半导体芯片的每个上形成封闭空腔。
搜索关键词: 半导体芯片 主表面 凹部 半导体组件 包封材料 牺牲材料 半导体装置 封闭空腔 包封 去除 制造
【主权项】:
1.一种方法,包括:/n提供至少一个半导体组件,其中,所述至少一个半导体组件中的每个半导体组件包括:/n半导体芯片,其中所述半导体芯片包括第一主表面和与第一主表面相对置的第二主表面,以及/n布置在所述半导体芯片的相对置的所述第二主表面上方的牺牲材料;/n用包封材料包封所述至少一个半导体组件;/n去除所述牺牲材料,其中在所述至少一个半导体芯片中的每个半导体芯片上方形成在所述包封材料中的凹部;并且/n将至少一个盖布置在所述至少一个凹部上方,其中通过所述至少一个凹部和所述至少一个盖在所述至少一个半导体芯片中的每个半导体芯片上方形成封闭的空腔。/n
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