[发明专利]双面电路非氧化物系陶瓷基板及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201910596647.8 申请日: 2019-07-04
公开(公告)号: CN110730574A 公开(公告)日: 2020-01-24
发明(设计)人: 竹盛英昭;东山贤史;板垣彻 申请(专利权)人: 株式会社日立电力解决方案
主分类号: H05K3/42 分类号: H05K3/42;H05K1/11;H05K1/03;H01L23/498;H01L23/15
代理公司: 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 刘杨
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种散热性优异且低成本的双面电路非氧化物系陶瓷基板及其制造方法。本发明的双面电路非氧化物系陶瓷基板(1)具备:具有通孔(11)的高导热性非氧化物系的陶瓷基板(10);形成于上述通孔(11)的壁面(11a)的保持层(20);以及由上述保持层(20)保持于上述通孔(11)的内部的、不含活性金属的导电性金属部(30S)。本发明的双面电路非氧化物系陶瓷基板(1)优选具备覆盖露出于上述陶瓷基板(10)的表背面的上述保持层(20)的端面(20a、20b)及上述导电性金属部(30S)的端面(30a、30b)的电极(薄膜电极(41、42))。
搜索关键词: 陶瓷基板 非氧化物 双面电路 通孔 导电性金属部 薄膜电极 高导热性 活性金属 低成本 散热性 电极 壁面 表背 优选 覆盖 制造
【主权项】:
1.一种双面电路非氧化物系陶瓷基板,其特征在于,/n该双面电路非氧化物系陶瓷基板具备:/n高导热性非氧化物系的陶瓷基板,具有通孔;/n保持层,在所述通孔的壁面上由硅的氧化物或氧化铝形成;以及/n导电性金属部,不含活性金属,由所述保持层保持在所述通孔的内部。/n
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