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[发明专利]一种柔性突触仿生器件及其制备方法-CN201811265425.X有效
发明人：赵波;张超金;吴莹 -专利权人：江苏师范大学
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性突触仿生器件及其制备方法，从下至上依次包括柔性衬底、底电极薄膜、缺氧二氧化钛薄膜层、二氧化钛薄膜层、氧化锌薄膜层及顶电极薄膜，所述底电极薄膜和顶电极薄膜通过电极引线与电源连接；制备时先依次在柔性衬底上形成底电极薄膜、缺氧二氧化钛薄膜层、二氧化钛薄膜层、氧化锌薄膜层及顶电极薄膜，随后在底电极薄膜和顶电极薄膜设置电极引线，采用高频超声波将电极引线与底电极薄膜及顶电极薄膜的接触点固定。本发明的柔性突触仿生器件不仅有效避免了柔性衬底因固定电极引线产生的机械能或者热能而在底电极或顶电极与柔性衬底间产生应力而导致破坏，且能够改善器件的时间保持性和抗疲劳性，提高使用寿命。
一种柔性突触仿生器件及其制备方法

[实用新型]摩擦发电机用复合薄膜电极及其应用-CN201620956851.8有效
发明人：赵豪;王珊;付晓玥;李运霄;崔婧;冯明慧 -专利权人：纳智源科技（唐山）有限责任公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： B32B37/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了摩擦发电机用复合薄膜电极及其应用。其中，该复合薄膜电极包括第一薄膜层；电极层，所述电极层覆盖在所述第一薄膜层的至少部分表面上；第二薄膜层，所述第二薄膜层覆盖在所述第一薄膜层和所述电极层的表面上。该复合薄膜电极的电极层设置在第一薄膜层和第二薄膜层之间，相对于现有的表面镀金属层的薄膜电极，该电极层的结合牢固，不易脱落，并且该复合薄膜电极的生产成本低。
摩擦发电机复合薄膜电极及其应用

[实用新型]全固态石墨烯基薄膜锂电池-CN202120294047.9有效
发明人：易汉平;周钧;马贵龙 -专利权人：鄂尔多斯市紫荆创新研究院
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种全固态石墨烯基薄膜锂电池，包括：电池单元，其包括：集电极基材以及依次形成在集电极基材上的石墨烯集电极薄膜、正极薄膜或负极薄膜、固态电解质薄膜、负极薄膜或正极薄膜、集电极基材薄膜、以及石墨烯集电极薄膜利用集电极基材或集电极基材薄膜作为石墨烯集电极薄膜的附着基底，并利用石墨烯集电极薄膜作为电池单元的集电极，在两个石墨烯集电极薄膜之间依次形成正极薄膜或负极薄膜、固态电解质薄膜、负极薄膜或正极薄膜形成多层薄膜电池，各层薄膜材料之间无外来杂质，结合紧密，使得锂电池具有极好的界面结合性和协调性，降低了界面内阻，减小了接触面电阻，提高了电池的能量密度、比能量、比功率、能量效率和能量保持率。
固态石墨薄膜锂电池

[发明专利]摩擦发电机用复合薄膜电极及其制备方法和应用-CN201610741717.0有效
发明人：赵豪;王珊;付晓玥;李运霄;崔婧;冯明慧 -专利权人：纳智源科技（唐山）有限责任公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： B32B37/06 文献下载
摘要：本发明公开了摩擦发电机用复合薄膜电极及其制备方法和应用。其中，该复合薄膜电极包括：第一薄膜层；电极层，所述电极层覆盖在所述第一薄膜层的至少部分表面上；第二薄膜层，所述第二薄膜层覆盖在所述第一薄膜层和所述电极层的表面上。该复合薄膜电极的电极层设置在第一薄膜层和第二薄膜层之间，相对于现有的表面镀金属层的薄膜电极，该电极层的结合牢固，不易脱落，并且该复合薄膜电极的生产成本低。
摩擦发电机复合薄膜电极及其制备方法应用

[发明专利]一种使用磨料制作三维薄膜电极的方法-CN201810645068.3有效
发明人：周阳辛;臧孝贤;王超;骆周扬;李卓斌 -专利权人：浙江浙能技术研究院有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜电极制造领域，特别是一种使用磨料制作三维薄膜电极的方法。针对现有三维薄膜电极表层的薄膜电极层变形加工麻烦、变形效果难控制以及制造周期长效率低等缺陷，本发明提供一种使用磨料制作三维薄膜电极的方法，将固态磨料颗粒放置于薄膜电极表层进行磨压，所述磨压是对固态磨料自上而下施压使其部分嵌入薄膜电极表层让薄膜电极表层变形产生压痕，所述压痕在薄膜电极表层上形成相应高低不平的三维起伏，然后卸压并移除固态磨料后制得三维薄膜电极，所述薄膜电极由基底层和设于其上的薄膜电极层组成，且薄膜电极层为薄膜电极表层。本发明所述方法制作三维薄膜电极表层形变加工操作简单、变形效果易控制，而且制造周期短、生产效率高。
一种使用磨料制作三维薄膜电极方法

[发明专利]一种球内封装电子器件的薄膜发电球-CN201710098472.9有效
发明人：郭岱硕;罗向望;韩步勇;吴建成;张也雷 -专利权人：简极科技有限公司
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H02N1/04 文献下载
摘要：本发明涉及智能球技术领域，具体涉及一种球内封装电子器件的薄膜发电球，包括球体，球体内中部区域设有第一电极薄膜层，第一电极薄膜层由两片发电薄膜贴合构成，两片发电薄膜中间设有电路组件，两片发电薄膜中间设有第一电极层，第一电极层与电路组件通过导线电性连接，球体内还设有第二电极薄膜层和第三电极薄膜层，第一电极薄膜层与第二电极薄膜层的两相对面分别设有第一摩擦增益层，第一电极薄膜层与第三电极薄膜层的两相对面分别设有第二摩擦增益层，第二电极薄膜层和第三电极薄膜层的两背离面分别设有第二电极层，第二电极层与电路组件通过导线电性连接。本发明通过设计三层摩擦发电薄膜结构，能够充分摩擦并为外部电路即可形成电流。
薄膜层第一电极第二电极第三电极电路组件发电薄膜导线电性连接封装电子器件摩擦增益层球体两相种球薄膜薄膜结构摩擦发电外部电路中部区域发电智能球三层贴合背离体内

[实用新型]一种高频响薄膜热电极温度传感器-CN201220169880.1有效
发明人：杨丽红;赵源深;陈皓帆;孙骞;孙金祥;周华;徐敏;关超 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： G01K7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种高频响薄膜热电极温度传感器，所述的高频响薄膜热电极温度传感器，包括单晶硅基底、两根温度补偿导线、Cu薄膜热电极和CuNi薄膜热电极，另外还包括镀制于单晶硅基底表面上的SiO2薄膜阻挡层；所述的Cu薄膜热电极、CuNi薄膜热电极溅射在SiO2薄膜阻挡层上，且所述的Cu薄膜热电极、CuNi薄膜热电极溅射在SiO2薄膜阻挡层上搭接形成一个热结点块；两根温度补偿导线分别用导电银胶与Cu薄膜热电极、CuNi薄膜热电极相连。本实用新型的一种高频响薄膜热电极温度传感器灵敏度高，同时避免了Cu和CuNi薄膜热电极在高温测试过程中发生脱落。
一种高频薄膜电极温度传感器

[发明专利]一种紫外光探测器-CN201110165546.9有效
发明人：赵昆;赵赛赛;赵嵩卿;达世炼 -专利权人：中国石油大学(北京)
申请日： 2011-06-20 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外光探测器，包括：斜切基底；在斜切基底一面上生长LaxCa1-xMnO3薄膜；第一金属薄膜电极和第二金属薄膜电极，分别生长在LaxCa1-xMnO3薄膜的两端；第三金属薄膜电极，位于第一金属薄膜电极和第二金属薄膜电极之间，且生长在LaxCa1-xMnO3薄膜上；第一电极引线、第二电极引线和第三电极引线的各自输入端，分别连接于第一金属薄膜电极、第二金属薄膜电极和第三金属薄膜电极上；第一电极引线、第二电极引线和第三电极引线的各自输出端，分别连接于电压测试设备，其中，第一电极引线、第二电极引线的各自输出端连接于所述电压测试设备的负极，第三电极引线的各自输出端连接于电压测试设备的正极。
一种紫外光探测器

[发明专利]叠片式金属化薄膜电容及其制备方法-CN201110386265.6有效
发明人：邓朝勇;马亚林;石健;张安邦 -专利权人：贵州大学
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明公开了一种叠片式金属化薄膜电容，包括绝缘基板，在绝缘基板上设有金属薄膜电极Ⅰ及金属薄膜电极Ⅱ，在金属薄膜电极Ⅰ与金属薄膜电极Ⅱ之间设有将它们完全分隔的介质薄膜，金属薄膜电极Ⅰ、金属薄膜电极Ⅱ及介质薄膜组成叠片式结构，金属薄膜电极Ⅰ上设有引出电极Ⅰ，在金属薄膜电极Ⅱ上设有引出电极Ⅱ；在叠片式结构的外部设有钝化保护层。本发明采用五氧化二钽等既绝缘，又具有良好的化学稳定性的材料制成的薄膜作为电介质，解决一般薄膜电容器电介质的介电常数低，耐热差，成膜性差，机械强度低等问题。而且通过掩膜工艺，沉积两层金属膜作为电极，极大地减少了金属用量，降低了生产成本，制作工艺简单。
叠片式金属化薄膜电容及其制备方法

[发明专利]一种柔性低压压敏电阻及制备方法-CN201110155887.8有效
发明人：季振国;席俊华;杜欢 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01C7/10 文献下载
摘要：本发明的柔性低压压敏电阻为层状结构，依次包括柔性基板、下电极薄膜、ZnO薄膜和上电极薄膜，上、下电极薄膜表面分别连接有上、下电极引线；所述的柔性基板为PET薄膜，所述的上电极薄膜和下电极薄膜为Pt薄膜。具体制作方法是：在柔性基板一侧表面沉积一层Pt薄膜作为下电极薄膜；通过掩模技术遮挡部分下电极薄膜，在暴露部分沉积一层ZnO薄膜，并压焊下电极引线；在ZnO薄膜上沉积一层Pt薄膜作为上电极薄膜，并压焊上电极引线
一种柔性低压压敏电阻制备方法

[发明专利]一种三维石墨烯薄膜电极结构-CN201810344641.7在审
发明人：周阳辛;丁莞尔;王超;秦刚华;骆周扬;李卓斌 -专利权人：浙江浙能技术研究院有限公司
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜电极领域，特别是一种三维石墨烯薄膜电极结构。针对现有薄膜电极和相邻物质的接触面受限于薄膜电极平面面积，造成使用薄膜电极的电子器件性能难以大幅提升的技术缺陷，本发明提供一种三维石墨烯薄膜电极结构，包括基板和设于其上的导电薄膜，所述基板和导电薄膜之间设有可改变形状的变形薄膜层，所述变形薄膜层两面分别紧贴基板和导电薄膜，导电薄膜为石墨烯薄膜且可随一面贴合的变形薄膜层变形而改变形状。本发明通过变形薄膜层的形状改变使得与其贴合的导电薄膜也发生同样的形状变化，使薄膜电极的接触面积摆脱原有薄膜电极平面面积的限制，大幅提升薄膜电极的接触面积，为使用薄膜电极的电子器件性能提升创造条件。
薄膜电极导电薄膜石墨烯薄膜变形薄膜电极结构基板电子器件性能三维贴合创造条件技术缺陷相邻物质形状变化可改变受限紧贴变形

[发明专利]一种三维碳纳米管薄膜电极结构-CN201810345248.X在审
发明人：周阳辛;丁莞尔;王超;秦刚华;骆周扬;李卓斌 -专利权人：浙江浙能技术研究院有限公司
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜电极领域，特别是一种三维碳纳米管薄膜电极结构。针对现有薄膜电极和相邻物质的接触面受限于薄膜电极平面面积，造成使用薄膜电极的电子器件性能难以大幅提升的技术缺陷，本发明提供一种三维碳纳米管薄膜电极结构，包括基板和设于其上的导电薄膜，所述基板和导电薄膜之间设有可改变形状的变形薄膜层，所述变形薄膜层两面分别紧贴基板和导电薄膜，导电薄膜为碳纳米管薄膜且可随一面贴合的变形薄膜层变形而改变形状。本发明通过变形薄膜层的形状改变使得与其贴合的导电薄膜也发生同样的形状变化，使薄膜电极的接触面积摆脱原有薄膜电极平面面积的限制，大幅提升薄膜电极的接触面积，为使用薄膜电极的电子器件性能提升创造条件。
薄膜电极导电薄膜碳纳米管薄膜变形薄膜电极结构基板电子器件性能三维贴合创造条件技术缺陷相邻物质形状变化可改变受限紧贴变形

[实用新型]一种三维石墨烯薄膜电极结构-CN201820545590.X有效
发明人：周阳辛;臧孝贤;丁莞尔;翁泽平;王超;秦刚华;骆周扬;李卓斌 -专利权人：浙江浙能技术研究院有限公司
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01B5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及薄膜电极领域，特别是一种三维石墨烯薄膜电极结构。针对现有薄膜电极和相邻物质的接触面受限于薄膜电极平面面积，造成使用薄膜电极的电子器件性能难以大幅提升的技术缺陷，本实用新型提供一种三维石墨烯薄膜电极结构，包括基板和设于其上的导电薄膜，所述基板和导电薄膜之间设有可改变形状的变形薄膜层，所述变形薄膜层两面分别紧贴基板和导电薄膜，导电薄膜为石墨烯薄膜且可随一面贴合的变形薄膜层变形而改变形状。本实用新型通过变形薄膜层的形状改变使得与其贴合的导电薄膜也发生同样的形状变化，使薄膜电极的接触面积摆脱原有薄膜电极平面面积的限制，大幅提升薄膜电极的接触面积，为使用薄膜电极的电子器件性能提升创造条件。
薄膜电极导电薄膜石墨烯薄膜变形薄膜本实用新型电极结构基板电子器件性能三维贴合创造条件技术缺陷相邻物质形状变化可改变受限紧贴变形

[实用新型]一种球内封装电子器件的薄膜发电球-CN201720163519.0有效
发明人：郭岱硕;罗向望;韩步勇;吴建成;张也雷 -专利权人：简极科技有限公司
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H02N1/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及智能球技术领域，具体涉及一种球内封装电子器件的薄膜发电球，包括球体，球体内中部区域设有第一电极薄膜层，第一电极薄膜层由两片发电薄膜贴合构成，两片发电薄膜中间设有电路组件，两片发电薄膜中间设有第一电极层，第一电极层与电路组件通过导线电性连接，球体内还设有第二电极薄膜层和第三电极薄膜层，第一电极薄膜层与第二电极薄膜层的两相对面分别设有第一摩擦增益层，第一电极薄膜层与第三电极薄膜层的两相对面分别设有第二摩擦增益层，第二电极薄膜层和第三电极薄膜层的两背离面分别设有第二电极层，第二电极层与电路组件通过导线电性连接。本实用新型通过设计三层摩擦发电薄膜结构，能够充分摩擦并为外部电路即可形成电流。
一种封装电子器件薄膜发电

[发明专利]一种高频响薄膜热电极温度传感器及其制备方法-CN201210117503.8无效
发明人：杨丽红;赵源深;陈皓帆;孙骞;孙金祥;周华;徐敏;关超 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： G01K7/04 文献下载
摘要：本发明公开一种高频响薄膜热电极温度传感器及其制备方法，所述的高频响薄膜热电极温度传感器，包括单晶硅基底、两根温度补偿导线、采用磁控溅射法镀制而成的Cu薄膜热电极和CuNi薄膜热电极，另外还包括镀制于单晶硅基底表面上的SiO2薄膜阻挡层；所述的Cu薄膜热电极、CuNi薄膜热电极溅射在SiO2薄膜阻挡层上，且所述的Cu薄膜热电极、CuNi薄膜热电极在SiO2薄膜阻挡层上搭接形成一个热结点块；两根温度补偿导线分别用导电银胶与Cu薄膜热电极、CuNi薄膜热电极相连。本发明的一种高频响薄膜热电极温度传感器灵敏度高，同时避免了Cu和CuNi薄膜热电极在高温测试过程中发生脱落。
一种高频薄膜电极温度传感器及其制备方法

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