[发明专利]晶片的分割方法有效
申请号: | 201910588315.5 | 申请日: | 2019-07-02 |
公开(公告)号: | CN110783184B | 公开(公告)日: | 2023-09-26 |
发明(设计)人: | 清水芳昭;中村胜 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供晶片的分割方法,使光通信芯片的光波导与光纤无间隙地呈直线状连接。在光通信芯片(C)中,光波导(8)在包含割断面(84)的第二侧面(83)露出。因此,将与光波导(8)连接的连接器(91)粘接于割断面(84)。与改质层的剖面相比,割断面(84)具有较高的平滑性。因此,通过将连接器(91)粘接于光通信芯片(C)的割断面(84),能够使连接器(91)紧贴而粘接于光通信芯片(C)。因此,能够使安装于连接器(91)的光纤(93)与光波导(8)实质上呈直线状连接。另外,能够抑制在光纤(93)与光波导(8)之间产生间隙。 | ||
搜索关键词: | 晶片 分割 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶片的分割方法,该晶片在正面的由分割预定线呈格子状划分的区域内形成有用于进行光数据通信的光通信器件,该光通信器件具有供光通过的直线状的光波导,该晶片的分割方法对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光光线,将使该激光光线会聚而得的聚光点定位于该晶片的内部,利用该聚光点来形成改质层,以该改质层为起点而沿着该分割预定线将该晶片分割成各个光通信芯片,其中,/n该分割预定线包含:/n第一分割预定线,其与该光波导的延伸方向平行;以及/n第二分割预定线,其与该光波导的延伸方向垂直,/n该晶片的分割方法具有如下的工序:/n带粘贴工序,在该晶片的整个背面上粘贴粘接带;/n保持工序,利用保持工作台的保持面隔着该粘接带对该晶片进行保持;/n第一改质层形成工序,沿着该第一分割预定线形成直线状的第一改质层;/n第二改质层形成工序,在该晶片的靠近背面的深度位置,沿着该第二分割预定线形成直线状的第二改质层;/n第三改质层形成工序,在该晶片的靠近正面的深度位置,沿着该第二分割预定线形成断续线状的第三改质层,该第三改质层未形成在与该光波导相关的部分;以及/n分割工序,对该第一改质层、该第二改质层以及该第三改质层赋予外力而以各改质层为起点对该晶片进行分割,从而获得光通信芯片,该光波导的端面在该光通信芯片的四个侧面中的一个面露出。/n
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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