[发明专利]晶片的分割方法有效
申请号: | 201910588315.5 | 申请日: | 2019-07-02 |
公开(公告)号: | CN110783184B | 公开(公告)日: | 2023-09-26 |
发明(设计)人: | 清水芳昭;中村胜 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 分割 方法 | ||
1.一种晶片的分割方法,该晶片在正面的由分割预定线呈格子状划分的区域内形成有用于进行光数据通信的光通信器件,该光通信器件具有供光通过的直线状的光波导,该晶片的分割方法对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光光线,将使该激光光线会聚而得的聚光点定位于该晶片的内部,利用该聚光点来形成改质层,以该改质层为起点而沿着该分割预定线将该晶片分割成各个光通信芯片,其中,
该分割预定线包含:
第一分割预定线,其与该光波导的延伸方向平行;以及
第二分割预定线,其与该光波导的延伸方向垂直,
该晶片的分割方法具有如下的工序:
带粘贴工序,在该晶片的整个背面上粘贴粘接带;
保持工序,利用保持工作台的保持面隔着该粘接带对该晶片进行保持;
第一改质层形成工序,沿着该第一分割预定线形成直线状的第一改质层;
第二改质层形成工序,在该晶片的靠近背面的深度位置,沿着该第二分割预定线形成直线状的第二改质层;
第三改质层形成工序,在该晶片的靠近正面的深度位置,沿着该第二分割预定线形成断续线状的第三改质层,该第三改质层未形成在与该光波导相关的部分;以及
分割工序,对该第一改质层、该第二改质层以及该第三改质层赋予外力而以各改质层为起点对该晶片进行分割,从而获得光通信芯片,该光波导的端面在该光通信芯片的四个侧面中的一个面露出。
2.根据权利要求1所述的晶片的分割方法,其中,
在该带粘贴工序中,在具有对该晶片进行收纳的开口的环状框架上按照封住该开口的方式粘贴该粘接带,并将该晶片粘贴在该开口的该粘接带上,从而形成该环状框架借助该粘接带而对该晶片进行支承的工件组,
在该分割工序中,使粘贴在该晶片上的该粘接带在该晶片的径向上扩展,从而对该第一改质层、该第二改质层以及该第三改质层赋予外力而对该晶片进行分割。
3.根据权利要求1所述的晶片的分割方法,其中,
在该晶片的该正面上粘贴有对该正面进行保护的保护带,
在该保持工序中,与吸引源连通的该保持面对该保护带进行保持,并隔着该保护带而对该晶片进行保持,
在该第一改质层形成工序、该第二改质层形成工序以及该第三改质层形成工序中,从该粘接带侧对该晶片照射该激光光线,利用透过该粘接带而被定位于该晶片的内部的该激光光线的该聚光点来形成该改质层,在该第三改质层形成工序之后实施该第二改质层形成工序,
该晶片的分割方法还具有如下的工序:
翻转工序,在该分割工序之前,使该晶片的正背面翻转而使该晶片的该正面向上;以及
剥离工序,将该保护带剥离。
4.根据权利要求1所述的晶片的分割方法,其中,
在该保持工序中,将多孔质片载置于对该晶片进行保持的该保持工作台的该保持面上,使该保持面与吸引源连通,使吸引力通过该多孔质片而作用于该晶片的该正面,从而该保持面对该晶片进行保持,
在该第一改质层形成工序、该第二改质层形成工序以及该第三改质层形成工序中,从该粘接带侧对该晶片照射该激光光线,利用透过该粘接带而被定位于该晶片的内部的该激光光线的该聚光点来形成该改质层,在该第三改质层形成工序之后实施该第二改质层形成工序,
该晶片的分割方法还具有如下的翻转工序:在该分割工序之前,使该晶片的正背面翻转而使该晶片的该正面向上。
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