[发明专利]半导体封装件在审

专利信息
申请号: 201910572616.9 申请日: 2019-06-28
公开(公告)号: CN110676229A 公开(公告)日: 2020-01-10
发明(设计)人: 金斗一;白龙浩;苏源煜;许荣植 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/522;H01L23/528
代理公司: 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 刘奕晴;钱海洋
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 本公开提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括半导体芯片、包封剂和连接结构,所述半导体芯片包括主体、连接焊盘、钝化膜、第一连接凸块和第一涂覆层,所述包封剂覆盖所述半导体芯片的至少一部分,所述连接结构包括绝缘层、重新分布层和连接过孔。所述第一连接凸块包括低熔点金属,所述重新分布层和所述连接过孔包括导电材料,并且所述低熔点金属的熔点低于所述导电材料的熔点。
搜索关键词: 半导体芯片 熔点 半导体封装件 低熔点金属 重新分布层 导电材料 连接结构 连接凸块 包封剂 绝缘层 连接焊盘 钝化膜 涂覆层 覆盖
【主权项】:
1.一种半导体封装件,包括:/n半导体芯片,包括:主体,具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面;钝化膜,设置在所述主体的所述有效表面上并且覆盖所述连接焊盘的至少一部分;第一连接凸块,设置在所述钝化膜上并且电连接到所述连接焊盘;以及第一涂覆层,设置在所述钝化膜上并且覆盖所述第一连接凸块的侧表面的至少一部分;/n包封剂,覆盖所述半导体芯片的至少一部分;以及/n连接结构,包括设置在所述半导体芯片的所述第一涂覆层上的绝缘层、设置在所述绝缘层上的重新分布层以及贯穿所述绝缘层并且使所述第一连接凸块电连接到所述重新分布层的连接过孔,/n其中,所述第一连接凸块包括低熔点金属,/n所述重新分布层和所述连接过孔包括导电材料,并且/n所述低熔点金属的熔点低于所述导电材料的熔点。/n
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