[发明专利]一种磁性可调控的复合金属酞菁薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201910564768.4 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110289349B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 张宪民;阮刘霞;秦高梧 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/12;H01L43/08 |
| 代理公司： | 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 | 代理人： | 宁佳 |
| 地址： | 110819 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明的一种磁性可调控的复合金属酞菁薄膜及其制备方法。金属酞菁包括过渡族金属酞菁和稀土金属酞菁。复合金属酞菁薄膜由厚度比为(9～1)：(1～5)的磁性金属酞菁与非磁性金属酞菁复合而成。制备时，在非磁性衬底上，采用有机共蒸发的方法，共同蒸发一种磁性金属酞菁和一种非磁性金属酞菁，制备出复合金属酞菁薄膜。其薄膜厚度在10～100nm之间，薄膜中非磁性和磁性金属酞菁的摩尔比通过调整蒸发温度控制。复合金属酞菁薄膜的磁性可以通过改变薄膜中非磁性/磁性金属酞菁的摩尔比例，使得非磁性金属酞菁在磁性金属酞菁中均匀分布，有效间隔了磁性金属酞菁分子，从而实现对薄膜磁性的有效调控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 调控 复合 金属 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁性可调控的复合金属酞菁薄膜，其特征在于，由磁性金属酞菁和非磁性金属酞菁复合而成，所述的磁性金属酞菁为过渡族金属酞菁或稀土金属酞菁中的一种，所述的非磁性金属酞菁为过渡族金属酞菁或稀土金属酞菁中的一种，复合金属酞菁薄膜中厚度比为磁性金属酞菁∶非磁性金属酞菁＝(9～1)∶(1～5)。
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