[发明专利]一种薄膜晶体管基板及其制备方法在审
| 申请号： | 201910537634.3 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110349972A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 赵文群 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管基板及其制备方法，薄膜晶体管基板包括依次设置的基板、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层、源漏极层、有机层和像素电极层；其中所述有源层的材料采用碘化亚铜。过惰性气体退火处理、水蒸汽退火处理或利用紫外光近室温光分解碘化亚铜薄膜中碘离子的技术，获得稳定性好，质量高的碘化亚铜薄膜，制备得到的碘化亚铜薄膜晶体管结构具有低的操作电压，优异的电学性能，为低功耗、高性能CMOS器件的发展奠定良好的科学基础。 | ||
| 搜索关键词： | 碘化亚铜 薄膜晶体管基板 制备 退火处理 源层 薄膜 薄膜晶体管结构 高性能CMOS器件 层间介质层 像素电极层 栅极绝缘层 紫外光 操作电压 电学性能 惰性气体 科学基础 依次设置 低功耗 碘离子 室温光 水蒸汽 有机层 源漏极 栅极层 基板 分解 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管基板，包括依次设置的基板、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层、源漏极层、有机层和像素电极层；其特征在于，其中所述有源层采用的材料为碘化亚铜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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