[发明专利]一种薄膜晶体管基板及其制备方法

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管基板及其制备方法，薄膜晶体管基板包括依次设置的基板、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层、源漏极层、有机层和像素电极层；其中所述有源层的材料采用碘化亚铜。过惰性气体退火处理、水蒸汽退火处理或利用紫外光近室温光分解碘化亚铜薄膜中碘离子的技术，获得稳定性好，质量高的碘化亚铜薄膜，制备得到的碘化亚铜薄膜晶体管结构具有低的操作电压，优异的电学性能，为低功耗、高性能CMOS器件的发展奠定良好的科学基础。

技术领域

本发明涉及显示面板技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管基板及其制备方法。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)在有源矩阵驱动液晶显示器件中发挥了重要的作用，是平板显示的核心部件，每台显示器都集成了数百万甚至上亿个TFT器件。非晶硅薄膜晶体管制程简单成本低，但是其迁移率比较低；低温多晶硅薄膜晶体管虽然迁移率高，但是成本高，而且制程复杂。

目前研究与应用最多的半导体材料为无机金属氧化物，如ZnO、SnO2、In2O3，或其多元的混合物(IGZO)。这些无机金属氧化物均展现n型半导体特征，这极大的限制了CMOS器件与数字集成电路的发展。

然而基于p型半导体器件应用比较少，主要是由于电化学性能适宜于p型半导体材料的相对较少和环境稳定性差等缺点。碘化亚铜CuI是一种绿色环保材料，其中铜和碘元素管饭存在于自然界中；CuI是一种宽禁带的本征P型半导体，带隙3.1ev，在可见光下透明；CuI具有生长温度低，迁移率高(本征载流子迁移率44cm2/Vs)，价格低廉等优点。相比其他P型半导体，用CuI制备高性能器件具有更大的潜能。

我们知道在电场下，CuI具有极高载流子浓度且很难控制，导致CuI器件的稳定性很差。

因此，确有必要来开发一种新型的薄膜晶体管基板，以克服现有技术的缺陷。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种薄膜晶体管基板，其能够解决现有技术中碘化亚铜薄膜晶体管结构稳定性很差的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种薄膜晶体管基板，包括依次设置的基板、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层、源漏极层、有机层和像素电极层；其中所述有源层采用的材料为碘化亚铜。

进一步的，在其他实施方式中，其中所述有源层定义有沟道区、非沟道区和源漏极掺杂区，所述源漏极掺杂区内的有源层掺杂有碘离子。

进一步的，在其他实施方式中，其中所述有源层定义有沟道区、非沟道区和源漏极掺杂区，所述源漏极掺杂区内的有源层掺杂有锌离子。

本发明还提供一种制备本发明涉及的所述薄膜晶体管基板的方法，包括以下步骤：

步骤S1：提供一基板，在所述基板上沉积碘化亚铜薄膜层，形成有源层；

步骤S2：沉积栅极绝缘层和栅极层，对所述有源层进行导体化；

步骤S3：沉积层间介质层，在所述层间介质层上设置第一过孔；沉积源漏极层，刻蚀后形成所述源漏极层图案；沉积有机层，在所述有机层上设置第二过孔；沉积像素电极层，通过刻蚀形成像素电极。

进一步的，在其他实施方式中，其中在所述步骤S1中，沉积所述碘化亚铜薄膜层的方法包括雾化喷雾法、水热法、化学沉积法、脉冲激光沉积和反应磁控溅射中的一种。

进一步的，在其他实施方式中，其中在所述步骤S1中，还包括分解所述碘化亚铜薄膜层中的碘离子，分解所述碘化亚铜薄膜层中的碘离子的方法包括惰性气体退火处理方法、水蒸气退化处理方法和利用紫外光近室温光分解方法中的一种。

进一步的，在其他实施方式中，其中在步骤S2中，对所述有源层进行导体化包括以下步骤：