[发明专利]一种高散热插件二极管封装工艺在审
| 申请号： | 201910526657.4 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN112103254A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 任志红 | 申请（专利权）人： | 山东元捷电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/367;H01L23/488;H01L29/861;H01L21/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 276000 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高散热插件二极管封装工艺，属于二极管领域，包括半导体芯片、第一铜导线段和第二铜导线段，所述半导体芯片位于第一铜导线段和第二铜导线段之间，且半导体芯片、第一铜导线段和第二铜导线段的表面封塑有绝缘塑封体，第一铜导线段和第二铜导线段均由铜导线和铜片构成，两个所述铜片相互平行放置。本发明通过将封装在绝缘塑封体内部的铜导线由引线式调整为扁平式结构，增加热辐射面积，从而提高产品的散热能力，增加有效额定功率，同时，制备的封装胶较传统的环氧灌封胶，可以在数分钟到数十分钟内快速固化，可以大幅减少封装时间，提高生产效率，且增加了封装胶的透光度，防止二极管吸热过度的情况发生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 散热 插件 二极管 封装 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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