[发明专利]基板处理方法及基板处理装置在审
| 申请号： | 201910525969.3 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN110616416A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 田端雅弘 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/513 |
| 代理公司： | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及基板处理方法及基板处理装置，能够精密控制半导体基板的图案。本发明的基板处理装置包括：处理装置，其具有腔室；以及控制器，其具有存储器、以及与该存储器连接的处理器。其中，存储器存储用于对处理器进行控制而对处理装置的处理进行控制的、可通过计算机执行的命令。处理装置的处理包括第1处理，通过化学气相沉积(CVD)，在腔室内的基板的第1区域内形成第1膜。此外，处理装置的处理包括第2处理，通过原子层沉积(ALD)，在腔室内的基板的第2区域内形成第2膜。此外，处理装置不将基板从腔室移动至其外而实施第1处理及第2处理。 | ||
| 搜索关键词： | 处理装置 基板 基板处理装置 处理器 腔室 室内 化学气相沉积 半导体基板 存储器存储 存储器连接 计算机执行 原子层沉积 存储器 基板处理 精密控制 控制器 图案 移动 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，包括：/n处理装置，其具有腔室；以及/n控制器，其具有存储器、以及与该存储器连接的处理器，/n其特征在于：/n所述存储器存储用于对所述处理器进行控制而对基于所述处理装置实施的处理进行控制的、可通过计算机执行的命令，该处理包括：/n第1处理，通过化学气相沉积，在所述腔室内的基板的第1区域内形成第1膜；以及/n第2处理，通过原子层沉积，在所述腔室内的所述基板的第2区域内形成第2膜，/n所述基板处理装置不将所述基板从所述腔室移动至其外部而实施所述第1处理及所述第2处理。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
