[发明专利]用于减轻底切的触点制造在审
| 申请号： | 201910519605.4 | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN110660764A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | N·达沃德;C·D·曼纳克;S·F·帕沃内 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 11245 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵志刚 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开用于减轻底切的触点制造。所述的示例提供微电子器件和制造方法(200)，包括：通过在导电特征上形成(206)钛或钛钨阻挡层来制造触点结构，在阻挡层上形成(208)锡晶种层，在晶圆或管芯的导电特征上方的晶种层上形成铜结构，加热(222)晶种层和铜结构以在阻挡层和铜结构之间形成青铜材料，使用蚀刻过程去除(224)晶种层，该蚀刻过程选择性地去除晶种层的暴露部分，以及去除(226)阻挡层的暴露部分。 | ||
| 搜索关键词： | 晶种层 阻挡层 铜结构 去除 蚀刻 导电特征 制造 微电子器件 触点结构 过程选择 青铜材料 暴露 触点 底切 管芯 晶圆 钛钨 加热 申请 | ||
【主权项】：
1.一种制造触点结构的方法，所述方法包括：/n至少部分地在晶圆或管芯的导电特征上形成阻挡层；/n至少部分地在所述阻挡层上形成晶种层，所述晶种层包括锡；/n在所述晶圆或管芯的导电特征上方的所述晶种层上形成铜结构；/n加热所述晶种层和所述铜结构，以在所述阻挡层和所述铜结构之间形成青铜材料；/n去除所述晶种层的暴露部分以暴露所述阻挡层的一部分；以及/n去除所述阻挡层的所述暴露部分。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德克萨斯仪器股份有限公司，未经德克萨斯仪器股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910519605.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
