[发明专利]基于铁电晶体管的脉冲神经元电路有效
| 申请号： | 201910500395.4 | 申请日： | 2019-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN110232440B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 黄如;陈诚;刘姝涵;黄芊芊 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G06N3/063 | 分类号： | G06N3/063;H03K19/0944 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种基于铁电晶体管的脉冲神经元电路，属于神经形态计算中脉冲神经元技术领域。该电路包括铁电晶体管FeFET和电阻；通过增强铁电晶体管FeFET的铁电材料的极化退化特性形成铁电晶体管L‑FeFET，该L‑FeFET用于模拟生物神经元的积累和泄露特性，从突触传递过来的电压脉冲信号施加在L‑FeFET的栅上，L‑FeFET的源端与GND相连，L‑FeFET的漏端连接于电阻的一端；电阻的另一端与固定的电源电压相连，电阻用于与L‑FeFET分压产生神经元的电压脉冲输出。本发明与基于传统MOSFET的实现方式相比，可以显著降低硬件开销；具有较强的驱动能力，有利于大规模的高度互联的脉冲神经网络的硬件实现。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 晶体管 脉冲 神经元 电路 | ||
【主权项】：
1.一种基于铁电晶体管的脉冲神经元电路，其特征在于，包括铁电晶体管FeFET和电阻；通过增强铁电晶体管FeFET的铁电材料的极化退化特性形成铁电晶体管L‑FeFET，该L‑FeFET用于模拟生物神经元的积累和泄露特性，从突触传递过来的电压脉冲信号施加在L‑FeFET的栅上，L‑FeFET的源端与GND相连，L‑FeFET的漏端连接于电阻的一端；电阻的另一端与固定的电源电压相连，电阻用于与L‑FeFET分压产生神经元的电压脉冲输出。
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