[发明专利]一种MPS结构工艺碳化硅二极管的制备方法

摘要

本发明公开一种MPS结构工艺碳化硅二极管的制备方法，包括以下步骤：在N型半导体衬底上形成N型外延层；形成零层掩膜，对零层掩膜进行蚀刻形成光刻层自对位标记；形成MPS结构区与保护环区，并进行离子注入；形成截止环区并进行离子注入；形成场截止环、保护环与MPS结构；露出MPS结构肖特基窗口区；形成MPS结构肖特基势垒；进行正面金属溅射形成金属层，引出阳极；在N型半导体衬底的背面形成背面金属层，并引出阴极。本发明方法制造的MPS结构碳化硅二极管与现有工艺制造的碳化硅二极管相比可以有效降低传统器件的正向导通压降和漏电流，提高器件高温可靠性。

主权项

1.一种MPS结构工艺碳化硅二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在N型半导体衬底上形成N型外延层；S2、在所述N型外延层上形成零层掩膜，对所述零层掩膜进行蚀刻工艺形成后续光刻层自对位标记；S3、在所述零层掩膜上进行蚀刻工艺形成光刻图形，之后形成MPS结构区与保护环区，并对MPS结构区与保护环区进行高能大剂量离子注入；S4、进行场截止环光刻图形加工，在场截止环区进行高能大剂量重掺离子注入；S5、对场截止环区、保护环区与MPS结构区进行超高温退火激活形成器件场截止环、保护环与MPS结构；S6、进行孔光刻处理露出MPS结构肖特基窗口区；S7、进行金属溅射以及快速退火形成MPS结构肖特基势垒；S8、进行正面金属溅射形成金属层，覆盖在所述MPS结构肖特基窗口区，并通过刻蚀工艺完成金属连接引出导线，形成阳极；S9、在N型半导体衬底的背面形成背面金属层，并引出阴极。