[发明专利]背面金属化半导体结构及制备方法有效
| 申请号： | 201910451979.7 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN112017967B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 王通;李修远 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/482 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种背面金属化半导体结构及制备方法，所述背面金属化半导体结构的制备方法，包括如下步骤：提供具有相对设置的第一表面和第二表面的衬底，所述衬底上靠近所述第一表面的一侧形成有半导体器件；在所述衬底中形成连通所述第二表面与所述半导体器件的沟槽；在所述第二表面及所述沟槽的表面形成背面金属层。本发明通过在晶圆背面形成沟槽及背面金属层，取代了原有的背面减薄及金属化工艺，避免了因背面减薄而引发的破片风险，进而提升了产品良率，降低了产品生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 金属化 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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