[发明专利]3D存储阵列中的改良浮栅和电介质层几何结构在审
| 申请号： | 201910451624.8 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110660806A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | R·科瓦尔;S·贾扬提;H·桑达;M-W·郭;S·高达;K·帕拉特 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11556 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了一种包括改良浮栅和电介质层几何结构的3D存储结构。在实施例中，存储单元包括沟道区和浮栅，其中，所述浮栅沿所述沟道区的方向的长度显著长于所述浮栅沿所述沟道区的正交方向的长度。与所述浮栅相邻的控制栅沿所述沟道区的所述方向延伸的长度至少与所述控制栅沿所述沟道区的所述方向延伸的长度一样长，并且包括朝向所述控制栅延伸离开所述沟道区的锥形边缘。在实施例中，设置在所述控制栅和所述浮栅之间的电介质层可以沿所述浮栅跟随所述锥形边缘，并且在靠近所述浮栅处形成分立区，以至少部分地使所述浮栅与相邻存储单元绝缘。还公开并要求保护了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 浮栅 沟道区 控制栅 电介质层 方向延伸 锥形边缘 相邻存储单元 存储单元 存储结构 几何结构 正交方向 分立 绝缘 改良 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，包括多个存储单元，其中，所述存储单元的至少其中之一包括：/n沟道区；/n沿第一侧与所述沟道区相邻的浮栅，其中，所述浮栅沿所述沟道区的方向的长度显著长于所述浮栅沿所述沟道区的正交方向的长度；/n沿所述浮栅的相对的第二侧与所述浮栅相邻的控制栅，其中，所述浮栅沿所述沟道区的所述方向延伸的长度至少与所述控制栅沿所述沟道区的所述方向延伸的长度一样长，并且所述浮栅包括朝向所述控制栅延伸离开所述沟道区的锥形边缘；以及/n设置在所述控制栅和所述浮栅之间的电介质层，其中，所述电介质层沿所述浮栅跟随所述锥形边缘，并且在靠近所述浮栅处形成分立区，以至少部分地使所述浮栅与相邻存储单元绝缘。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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