[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供一具有外围区和存储区的衬底，且所述外围区和存储区上均形成有至少一个栅极结构；形成侧墙于所述栅极结构的侧壁上；至少去除所述存储区上的所述栅极结构的侧壁上的部分厚度的所述侧墙，以使得相邻的所述栅极结构之间的所述侧墙之间的间距增大；以及，形成层间介质层于所述衬底上，所述层间介质层覆盖所述栅极结构和所述侧墙。本发明的技术方案使得相邻的栅极结构之间的侧墙之间的深宽比降低，进而使得相邻的栅极结构之间的侧墙之间的层间介质层中的空洞的数量减少和尺寸减小，从而使得产品良率得到提高。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一具有外围区和存储区的衬底，且所述外围区和存储区上均形成有至少一个栅极结构；形成轻掺杂区于所述栅极结构两侧的所述衬底中，且所述轻掺杂区部分位于所述栅极结构的下方；形成侧墙于所述栅极结构的侧壁上；至少去除所述存储区上的所述栅极结构的侧壁上的部分厚度的所述侧墙，以使得相邻的所述栅极结构之间的所述侧墙之间的间距增大；以所述栅极结构和去除所述部分厚度的所述侧墙为掩膜，形成源极和漏极于所述存储区的所述栅极结构两侧的所述衬底中，且所述存储区的相邻的所述栅极结构共用所述源极或所述漏极，所述轻掺杂区分别与所述源极和所述漏极部分重叠；以及，形成层间介质层于所述衬底上，所述层间介质层覆盖所述栅极结构和所述侧墙。