[发明专利]电子元器件封装件在审
| 申请号： | 201910427721.3 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110767644A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 蔡永福;宫崎州平;山胁和真 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/495 |
| 代理公司： | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨琦;黄浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的电子元器件封装件具备电子元器件模块，该电子元器件模块具有：基底部，包括第一面和第二面；第一镀层，覆盖第一面；第一电子元器件芯片，夹着第一绝缘层设在该第一镀层上；第二镀层，覆盖第二面；以及第二电子元器件芯片，夹着第二绝缘层设在该第二镀层上。此处，第一镀层和第二镀层含有第一金属材料，该第一金属材料比Ag(银)难以发生离子迁移现象。 | ||
| 搜索关键词： | 镀层 电子元器件 绝缘层 金属材料 第二面 电子元器件封装 芯片 离子迁移 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种电子元器件封装件，具备：/n基底部，包括第一面和第二面；/n第一镀层，覆盖所述第一面；/n第一电子元器件芯片，夹着第一绝缘层设在所述第一镀层上；/n第二镀层，覆盖所述第二面；以及/n第二电子元器件芯片，夹着第二绝缘层设在所述第二镀层上，/n所述第一镀层和所述第二镀层含有第一金属材料，所述第一金属材料比银难以发生离子迁移现象。/n
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