[发明专利]电子元器件封装件在审

专利信息
申请号: 201910427721.3 申请日: 2019-05-22
公开(公告)号: CN110767644A 公开(公告)日: 2020-02-07
发明(设计)人: 蔡永福;宫崎州平;山胁和真 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/495
代理公司: 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 代理人: 杨琦;黄浩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 镀层 电子元器件 绝缘层 金属材料 第二面 电子元器件封装 芯片 离子迁移 覆盖
【说明书】:

本发明的电子元器件封装件具备电子元器件模块,该电子元器件模块具有:基底部,包括第一面和第二面;第一镀层,覆盖第一面;第一电子元器件芯片,夹着第一绝缘层设在该第一镀层上;第二镀层,覆盖第二面;以及第二电子元器件芯片,夹着第二绝缘层设在该第二镀层上。此处,第一镀层和第二镀层含有第一金属材料,该第一金属材料比Ag(银)难以发生离子迁移现象。

技术领域

本发明涉及一种在一个引线框上设有两个以上电子元器件芯片的电子元器件封装件。

背景技术

近年来,已经有人提出一种技术,在安装在电子设备等中的传感器装置等的电子元器件封装件中谋求工作系统冗余化(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2017-191093号公报

发明内容

然而,对于这样的电子元器件封装件,还需要进一步提高工作可靠性。

因此,期望提供一种工作可靠性更加优异的电子元器件封装件。

作为本发明的一种实施方式的电子元器件封装件,具备:基底部,包括第一面和第二面;第一镀层,覆盖第一面;第一电子元器件芯片,夹着第一绝缘层设在该第一镀层上;第二镀层,覆盖第二面;以及第二电子元器件芯片,夹着第二绝缘层设在该第二镀层上。第一镀层和第二镀层含有第一金属材料,该第一金属材料比Ag(银)难以发生离子迁移现象。

附图说明

图1是剖视图,示出本发明的一种实施方式的传感器封装件的整体结构例。

图2是方框图,示出图1所示的传感器模块的结构例。

图3是剖视图,示出本发明的第一变形例的传感器封装件的整体结构。

图4是剖视图,示出本发明的第二变形例的传感器封装件的整体结构。

图5是剖视图,示出本发明的第三变形例的传感器封装件的整体结构。

图6是剖视图,示出本发明的第四变形例的传感器封装件的整体结构。

符号说明

1、1A~1D 传感器封装件

2 传感器模块

3、4 引线

3A、4A 芯

3B、4B 包层

5、6 线

7、7A 模制部

7V 空隙

11 基底部

12 镀层

13、14、19 绝缘层

15、16 ASIC

17、18 传感器元件

C1、C2 电子元器件芯片

P1、P2 焊盘

具体实施方式

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