[发明专利]在分开处理并接合的晶圆中具有控制电路和阵列的三维（3D）存储器在审
| 申请号： | 201910414275.2 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110620114A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | K.哈斯纳特;P.马吉 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/11509 | 分类号： | H01L27/11509;H01L27/11526;H01L27/11573;H01L27/11592;H01L27/11;H01L23/48 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李啸;杨美灵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了在分开处理并且接合的晶圆中具有控制阵列和控制电路的三维（3D）存储器。在一个示例中，非易失性存储组件包括了包含非易失性存储单元的三维（3D）阵列的第一管芯和与第一管芯接合的第二管芯。第二管芯包括CMOS（互补金属氧化物半导体）电路以对非易失性存储单元的3D阵列进行存取。通过在分开的晶圆上处理CMOS电路和阵列，外设CMOS和互连不需要经受在处理存储器阵列中涉及的热循环，这能够实现对CMOS晶体管的优化和将低阻性材料用于互连。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储单元 第二管 互连 晶圆 三维 互补金属氧化物半导体 非易失性存储 处理存储器 存储器 分开处理 管芯接合 控制电路 组件包括 接合 低阻性 热循环 管芯 外设 存取 电路 优化 | ||
【主权项】：
1. 一种非易失性存储组件，包括：/n包括非易失性存储单元的三维（3D）阵列的第一管芯；以及/n与所述第一管芯接合的第二管芯，所述第二管芯包括CMOS（互补金属氧化物半导体）电路以对所述非易失性存储单元的3D阵列进行存取。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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