[发明专利]疏水性的低介电常数膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201910410096.1 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110129769B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 宗坚 | 申请（专利权）人： | 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50;C23C16/458;C23C16/455;H01L23/532;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33244 | 代理人： | 王丽芳;罗京 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明提供一疏水性的低介电常数膜及其制备方法，其中所述低介电常数膜其由一种或多种含氟化合物A通过等离子体增强化学气相沉积方法形成，其中所述一种或多种含氟化合物包含具有通式C |
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| 搜索关键词： | 疏水 介电常数 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一疏水性的低介电常数膜，其特征在于，其由一种或多种含氟化合物A通过等离子体增强化学气相沉积方法形成，其中所述一种或多种含氟化合物包含具有通式CxSiyOmHnF2x+2y‑n+2或者CxSiyOmHnF2x+2y‑n的化合物，其中x为1‑20的整数，y为0‑8的整数，m为0‑6的整数，n为0、3、6、7、9、10、12、13、15、16、17、19。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
