[发明专利]薄膜晶体管衬底、制造其的方法以及包括其的显示装置

摘要

公开了薄膜晶体管衬底、制造薄膜晶体管衬底的方法以及包括薄膜晶体管衬底的显示装置。所述薄膜晶体管衬底包括第一有源图案、第一栅极绝缘层、第一栅电极、第二栅电极、第二栅极绝缘层、源极连接电极、漏极连接电极、第二有源图案、第一绝缘中间层、第二绝缘中间层、第三栅极绝缘层、第三栅电极、第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极。第二栅电极位于覆盖第一栅极的第二栅极绝缘层上。源极连接电极与第一有源图案的源区接触。漏极连接电极与第一有源图案的漏区接触。第二有源图案位于覆盖第二栅电极的第一绝缘中间层上。第三栅极绝缘层覆盖第二有源图案。第三栅电极布置在第三栅极绝缘层上。第二绝缘中间层覆盖第三栅电极。第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极布置在第二绝缘中间层上。第一源电极和第一漏电极与源极连接电极和漏极连接电极接触。第二源电极和第二漏电极与第二有源图案的源区和漏区接触。

主权项

1.薄膜晶体管衬底，包括：/n基础衬底；/n第一有源图案，所述第一有源图案布置在所述基础衬底上；/n第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层至少部分地覆盖所述第一有源图案；/n第一栅电极，所述第一栅电极布置在所述第一栅极绝缘层上，所述第一栅电极与所述第一有源图案形成第一薄膜晶体管；/n第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层至少部分地覆盖所述第一栅电极；/n第二栅电极，所述第二栅电极布置在所述第二栅极绝缘层上，所述第二栅电极至少部分地与所述第一栅电极重叠；/n源极连接电极，所述源极连接电极与所述第一有源图案的源区接触；/n漏极连接电极，所述漏极连接电极与所述第一有源图案的漏区接触；/n第一绝缘中间层，所述第一绝缘中间层至少部分地覆盖所述第二栅电极；/n第二有源图案，所述第二有源图案布置在所述第一绝缘中间层上；/n第三栅极绝缘层，所述第三栅极绝缘层至少部分地覆盖所述第二有源图案；/n第三栅电极，所述第三栅电极布置在所述第三栅极绝缘层上，所述第三栅电极与所述第二有源图案形成第二薄膜晶体管；/n第二绝缘中间层，所述第二绝缘中间层至少部分地覆盖所述第三栅电极；以及/n第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极，所述第一源电极、所述第一漏电极、所述第二源电极和所述第二漏电极各自布置在所述第二绝缘中间层上，所述第一源电极和所述第一漏电极分别与所述源极连接电极和所述漏极连接电极接触，并且所述第二源电极和所述第二漏电极分别与所述第二有源图案的源区和漏区接触。/n