[发明专利]薄膜晶体管衬底、制造其的方法以及包括其的显示装置

权利要求书

1.薄膜晶体管衬底，包括：

基础衬底；

第一有源图案，所述第一有源图案布置在所述基础衬底上；

第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层至少部分地覆盖所述第一有源图案；

第一栅电极，所述第一栅电极布置在所述第一栅极绝缘层上，所述第一栅电极与所述第一有源图案形成第一薄膜晶体管；

第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层至少部分地覆盖所述第一栅电极；

第二栅电极，所述第二栅电极布置在所述第二栅极绝缘层上，所述第二栅电极至少部分地与所述第一栅电极重叠；

源极连接电极，所述源极连接电极与所述第一有源图案的源区接触；

漏极连接电极，所述漏极连接电极与所述第一有源图案的漏区接触；

第一绝缘中间层，所述第一绝缘中间层至少部分地覆盖所述第二栅电极；

第二有源图案，所述第二有源图案布置在所述第一绝缘中间层上；

第三栅极绝缘层，所述第三栅极绝缘层至少部分地覆盖所述第二有源图案；

第三栅电极，所述第三栅电极布置在所述第三栅极绝缘层上，所述第三栅电极与所述第二有源图案形成第二薄膜晶体管；

第二绝缘中间层，所述第二绝缘中间层至少部分地覆盖所述第三栅电极；以及

第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极，所述第一源电极、所述第一漏电极、所述第二源电极和所述第二漏电极各自布置在所述第二绝缘中间层上，所述第一源电极和所述第一漏电极分别与所述源极连接电极和所述漏极连接电极接触，并且所述第二源电极和所述第二漏电极分别与所述第二有源图案的源区和漏区接触。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管衬底，其中，所述源极连接电极、所述漏极连接电极和所述第二栅电极均布置在公共层内。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管衬底，其中，所述源极连接电极、所述漏极连接电极和所述第一栅电极均布置在公共层内。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管衬底，其中，所述源极连接电极通过第一接触孔连接到所述第一有源图案的所述源区，并且所述漏极连接电极通过第二接触孔连接到所述第一有源图案的所述漏区。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管衬底，其中，所述第一源电极通过第三接触孔连接到所述源极连接电极，并且所述第一漏电极通过第四接触孔连接到所述漏极连接电极。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管衬底，其中，所述第一接触孔的最小宽度和所述第二接触孔的最小宽度分别大于所述第三接触孔的最大宽度和所述第四接触孔的最大宽度。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管衬底，其中，所述第一有源图案和所述第二有源图案中的一个包括多晶硅半导体，并且所述第一有源图案和所述第二有源图案中的另一个包括氧化物半导体。

8.制造薄膜晶体管衬底的方法，包括：

在基础衬底上形成第一有源图案；

形成至少部分地覆盖所述第一有源图案的第一栅极绝缘层；

在所述第一栅极绝缘层上形成第一栅电极，所述第一栅电极与所述第一有源图案形成第一薄膜晶体管；

形成至少部分地覆盖所述第一栅电极的第二栅极绝缘层；

在所述第二栅极绝缘层上形成第二栅电极，所述第二栅电极至少部分地与所述第一栅电极重叠；

形成与所述第一有源图案的源区接触的源极连接电极；

形成与所述第一有源图案的漏区接触的漏极连接电极；

形成至少部分地覆盖所述第二栅电极的第一绝缘中间层；

在所述第一绝缘中间层上形成第二有源图案；

形成至少部分地覆盖所述第二有源图案的第三栅极绝缘层；

在所述第三栅极绝缘层上形成第三栅电极，所述第三栅电极与所述第二有源图案形成第二薄膜晶体管；

形成至少部分地覆盖所述第三栅电极的第二绝缘中间层；以及

在所述第二绝缘中间层上形成第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极中的每个，所述第一源电极和所述第一漏电极分别与所述源极连接电极和所述漏极连接电极接触，并且所述第二源电极和所述第二漏电极分别与所述第二有源图案的源区和漏区接触。