[发明专利]薄膜晶体管衬底、制造其的方法以及包括其的显示装置

说明书

公开了薄膜晶体管衬底、制造薄膜晶体管衬底的方法以及包括薄膜晶体管衬底的显示装置。所述薄膜晶体管衬底包括第一有源图案、第一栅极绝缘层、第一栅电极、第二栅电极、第二栅极绝缘层、源极连接电极、漏极连接电极、第二有源图案、第一绝缘中间层、第二绝缘中间层、第三栅极绝缘层、第三栅电极、第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极。第二栅电极位于覆盖第一栅极的第二栅极绝缘层上。源极连接电极与第一有源图案的源区接触。漏极连接电极与第一有源图案的漏区接触。第二有源图案位于覆盖第二栅电极的第一绝缘中间层上。第三栅极绝缘层覆盖第二有源图案。第三栅电极布置在第三栅极绝缘层上。第二绝缘中间层覆盖第三栅电极。第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极布置在第二绝缘中间层上。第一源电极和第一漏电极与源极连接电极和漏极连接电极接触。第二源电极和第二漏电极与第二有源图案的源区和漏区接触。

技术领域

本公开涉及显示装置，并且更具体地，涉及薄膜晶体管衬底、制造薄膜晶体管衬底的方法以及包括薄膜晶体管衬底的显示装置。

背景技术

平板显示装置被广泛使用。在平板显示装置之中，有机发光显示(OLED)装置因纤薄、轻重量、低功率、具有快速的响应速度以及具有其它期望的性能而备受关注。根据驱动方式，OLED装置可表征为无源矩阵OLED装置或有源矩阵OLED装置。有源矩阵OLED装置可包括包括有多个薄膜晶体管的薄膜晶体管衬底。

通常，薄膜晶体管可包括半导体层。半导体层可由非晶半导体、多晶半导体、氧化物半导体等形成。当半导体层由非晶半导体形成时，半导体层的电子迁移率可为相对低的，这不适合于高速驱动的显示装置。因此，最近的发展具有由多晶半导体或氧化物半导体形成的半导体层。

然而，当半导体层由多晶半导体形成时，多晶半导体的电子迁移率为相对高的，但是由于其多晶性质，多晶半导体的阈值电压为不均匀的。因此，可能需要用于补偿阈值电压的补偿电路。此外，当半导体层由氧化物半导体形成时，氧化物半导体的阈值电压为相对低的，但是氧化物半导体的电子迁移率低于多晶半导体的电子迁移率。

发明内容

薄膜晶体管(TFT)衬底包括基础衬底、第一有源图案、第一栅极绝缘层、第一栅电极、第二栅极绝缘层、第二栅电极、源极连接电极、漏极连接电极、第一绝缘中间层、第二绝缘中间层、第二有源图案、第三栅极绝缘层、第三栅电极、第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极。第一有源图案布置在基础衬底上。第一栅极绝缘层至少部分地覆盖第一有源图案。第一栅电极布置在第一栅极绝缘层上。第一栅电极与第一有源图案形成第一薄膜晶体管。第二栅极绝缘层至少部分地覆盖第一栅电极。第二栅电极布置在第二栅极绝缘层上。第二栅电极至少部分地与第一栅电极重叠。源极连接电极与第一有源图案的源区接触。漏极连接电极与第一有源图案的漏区接触。第一绝缘中间层至少部分地覆盖第二栅电极。第二有源图案布置在第一绝缘中间层上。第三栅极绝缘层至少部分地覆盖第二有源图案。第三栅电极布置在第三栅极绝缘层上。第三栅电极与第二有源图案形成第二薄膜晶体管。第二绝缘中间层至少部分地覆盖第三栅电极。第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极各自布置在第二绝缘中间层上。第一源电极和第一漏电极分别与源极连接电极和漏极连接电极接触。第二源电极和第二漏电极分别与第二有源图案的源区和漏区接触。