[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910402381.9 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN111952367A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/45;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高德志 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中所述半导体结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中具有源区和漏区，所述源区和漏区中具有凹槽；金属硅化物层，位于所述凹槽的四周侧壁表面；绝缘层，位于凹槽的底部表面，且所述绝缘层的边缘与凹槽四周侧壁上的所述金属硅化物层底部表面接触；导电层，填充在所述凹槽中并位于所述金属硅化物层及所述绝缘层上。本发明的半导体结构防止电流泄露到源漏区底部的半导体衬底中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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